The electron-phonon interaction resulting surface modification triggered by the low-energy highly-charged-ion

低能高电荷离子引发的电子-声子相互作用导致表面改性

基本信息

  • 批准号:
    21510108
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The low-energy highly charged ion(HCI) produces hillocks on a solid surface, which are mesa-like protrusions as the result of electronic excitation due to HCI. Our aim has been to make it clear how generally the electron-phonon interaction can explain the formation mechanism, for a wide range of target materials. The first step of synergetic reaction of target atoms may be to form the fast phonon, which is already known in semimetal and semiconductor. This is the optical phonon where intraplane motion of atoms is characteristic. The second step is the acoustic phonon caused by the entering HCI. These two types of successive phonons may produce the hillocks by a low-energy HCI, at least in the case of a semimetal.
低能量高电荷态离子(HCI)在固体表面产生小丘,这些小丘是由于HCI引起的电子激发而形成的台面状突起。我们的目标是弄清楚电子-声子相互作用如何解释广泛的靶材料的形成机制。靶原子协同反应的第一步可能是形成快声子,这在半金属和半导体中是已知的。这是光学声子,其中原子的平面内运动是特征。第二步是由进入HCI引起的声学声子。这两种连续声子可以通过低能HCI产生小丘,至少在半金属的情况下是这样。

项目成果

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专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Suzuki;M.Okada;H.Mimura;Y.Inoue;S. T. Nakagawa
  • 通讯作者:
    S. T. Nakagawa
低エネルギー高電離イオンによる表面ヒロック形成機構の解明
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中川幸子;H.J.Whitlow;G.Betz
  • 通讯作者:
    G.Betz
クラスタービームによるアニーリング効果の検証
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小山真弘;中川幸子
  • 通讯作者:
    中川幸子
分子ビームの固体内原子衝突(II)
固体中分子束的原子碰撞(二)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長尾初季;神田;Betz;中川幸子
  • 通讯作者:
    中川幸子
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