Study on the formation of carbon thin films obtained by electron-beam-induced-chemical vapor deposition combined with ultra low-temperature tunneling reaction of H atoms at ultra low temperature

超低温电子束诱导化学气相沉积结合H原子超低温隧道反应制备碳薄膜的研究

• 批准号: 21560031
• 负责人: SATO Tetsuya
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560031/
• 关键词: カーボン; 非晶質; 電子衝撃; 薄膜; 極低温; トネンル; メタン; 水素原子; 低速電子; 欠陥密度; アモルファス; トンネル; DLC; トンネル現象; 低温

We synthesized carbon films by electron-beam-induced-chemical vapor deposition combined with low-temperature H tunneling reactions on cooled substrates, which adsorb methane gases. The concentration of hydrogen(C_H) in carbon films were very low(1% to 6 at.%). The value of optical band gap changed from 0. 9 eV to 2. 5 eV. The values of spin density(Ns) decreased with increasing C_H and less than 10^<18> cm-^3 were found for the films with low sp^2 content.

我们通过电子束诱导化学气相沉积结合低温 H 隧道反应在冷却基板上合成碳膜，该碳膜吸附甲烷气体。碳膜中氢(C_H)的浓度非常低(1%到6 at.%)。光学带隙值从0. 9 eV 变为2. 5 eV。自旋密度(Ns)值随着C_H的增加而降低，并且发现对于具有低sp^2含量的薄膜来说，自旋密度(Ns)值小于10^<18>cm-^3。

项目成果

低速電子線照射により極低温合成したカーボン膜のESRによる構造欠陥評価

低速电子束辐照低温合成碳膜的ESR结构缺陷评价

• 发表时间: 2011
• 作者: S. Kaneko;T. Nagano;K. Akiyama;T. Ito;M. Yasui;Y. Hirabayashi;H. Funakubo;and M. Yoshimoto;小林直樹,山田竜太郎,年森隆明,森田直樹,佐藤哲也,有元圭介,山中淳二,中川清和
• 通讯作者: 小林直樹,山田竜太郎,年森隆明,森田直樹,佐藤哲也,有元圭介,山中淳二,中川清和

低速電子線誘起反応と水素原子の低温トンネル反応による炭素薄膜の極低温合成

利用慢电子束诱导反应和氢原子低温隧道反应低温合成碳薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 佐藤哲也

メタン凝縮層からの炭素薄膜極低温合成

甲烷凝结层低温合成碳薄膜

• 发表时间: 2010
• 期刊: New Diamon
• 作者: 佐藤哲也;伊東佑将;森田直樹;井草裕志;小林憲明;中川清和;佐藤昇司
• 通讯作者: 佐藤昇司

CH_4 Ar固体薄膜への低速電子線衝撃: Arマトリックス単離赤外分光法による反応解析

CH_4 慢电子束对 Ar 固体薄膜的影响：使用 Ar 基质隔离红外光谱进行反应分析

• 发表时间: 2010
• 作者: 児玉和也;et al..;佐藤哲也
• 通讯作者: 佐藤哲也

Synthesis of Amorphous Germane by Tunneling Reactions of Hydrogen Atoms with van der Waals GeH_4 Films at Cryogenic Temperatures

低温氢原子与范德华GeH_4薄膜隧道反应合成非晶锗烷

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. 48
• 作者: Norihito Sogoshi;S.Sato;H.Takashima;T.Sato;K.Hiraoka
• 通讯作者: K.Hiraoka