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Bond Engineering in Surface Structure and Nano-Structure Formation for Lattice Mismatch Systems

晶格失配系统的表面结构和纳米结构形成中的键合工程

基本信息

批准号：
21560032
负责人：
ITO Tomonori
金额：
$ 3.08万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

Surface structures in lattice mismatch system such as InAs/GaAs are systematically investigated using our ab initio-based approach incorporating beam equivalent pressure and temperature. Adsorption-desorption behaviors of In and As are also clarified on the stable surfaces of InAs(111) and InAs(001) wetting layers under growth conditions. Using these results, elementary processes of nano-structure formation are discussed for stacking fault tetrahedron on InAs(111) and quantum dot on InAs(001) grown on GaAs substrate.

利用我们的从头算方法，结合束流等效压力和温度，系统地研究了InAs/GaAs等晶格失配系统的表面结构。还阐明了生长条件下In和As在InAs（111）和InAs（001）润湿层稳定表面上的吸附-脱附行为。利用这些结果，讨论了GaAs衬底上InAs（111）层错四面体和InAs（001）量子点纳米结构形成的基本过程。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Surface Reconstructions on GaN and InN Semipolar (112̄2) Surfaces

GaN 和 InN 半极性 (112̄2) 表面的表面重构

DOI：
10.1143/jjap.48.120201
发表时间：
2009
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
T. Yamashita;T. Akiyama;K. Nakamura;T. Ito
通讯作者：
T. Ito

InP(111)A面上における成長初期過程のモンテカルロシミュレーション

InP(111)A表面初始生长过程的蒙特卡罗模拟

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
山下智樹;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳
通讯作者：
伊藤智徳

InPナノワイヤにおけるIn原子の表面拡散に関する理論的研究

InP纳米线中In原子表面扩散的理论研究

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
山下智樹;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳
通讯作者：
伊藤智徳

Reconstructions of GaN and InN semipolar (10-1-1) surfaces

GaN 和 InN 半极性 (10-1-1) 表面的重建

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 48
影响因子：
0
作者：
Toru Akiyama;Daisuke Ammi;Kohji Nakamura;Tomonori Ito
通讯作者：
Tomonori Ito

Stability of magnesium-incorporated semipolar (10-1-1) surfaces

掺镁半极性 (10-1-1) 表面的稳定性

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 48
影响因子：
0
作者：
Toru Akiyama;Daisuke Ammi;Kohji Nakamura;Tomonori Ito
通讯作者：
Tomonori Ito

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

ITO Tomonori其他文献

<i>Ab initio</i> study for adsorption and desorption behavior at step edges of AlN(0001) and GaN(0001) surfaces

AlN(0001) 和 GaN(0001) 表面阶梯边缘吸附和解吸行为的从头算研究

DOI：
10.7567/1347-4065/ab6566
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Akiyama Toru;Ohka Takumi;Nakamura Kohji;ITO Tomonori
通讯作者：
ITO Tomonori

Black TiO2 の水素分布と電子状

黑色TiO2的氢分布和电子态

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Akiyama Toru;Ohka Takumi;Nakamura Kohji;ITO Tomonori;松本益明，岡田朋大，Markus Wilde，福谷克之，間瀬一彦，金秀光，谷本育律，本田融;藤本将秀，松本益明，長塚直樹，福谷克之
通讯作者：
藤本将秀，松本益明，長塚直樹，福谷克之