Bond Engineering in Prediction of Surface Phase Diagram and Its ApPlication to Nano-Structure Formation

ボンドエンジニアリング概念に基づく量子論的アプローチにより, ナノ構造形成に重要な「場」としての半導体表面を対象に, 成長条件である温度, 分子線圧力の関数としての表面状態図の理論予測を行った。具体的には, GaAs(001)表面構造予測と計算手法の妥当性の検証, GaAs(lll)表面構造予測とSiドーピング機構, GaN(0001)表面構造予測とGaN成長初期過程, 化合物半導体ナノワイヤにおける構造多形の成因, 積層欠陥四面体形成機構, SiC(ll-20)表面上のAIN薄膜形成過程および構造多形等について検討を行い, ボンドエンジニアリング概念に基づく表面状態図予測のナノ構造形成機構解明への有用性を示した。

ボンドエンジニアリング概念に基づく量子論的アプローチにより, ナノ構造形成に重要な「場」としての半導体表面を対象に, 成長条件である温度, 分子線圧力の関数としての表面状態図の理論予測を行った。具体的には, GaAs(001)表面構造予測と計算手法の妥当性の検証, GaAs(lll)表面構造予測とSiドーピング機構, GaN(0001)表面構造予測とGaN成長初期過程, 化合物半導体ナノワイヤにおける構造多形の成因, 積層欠陥四面体形成機構, SiC(ll-20)表面上のAIN薄膜形成過程および構造多形等について検討を行い, ボンドエンジニアリング概念に基づく表面状態図予測のナノ構造形成機構解明への有用性を示した。