Bond Engineering in Prediction of Surface Phase Diagram and Its ApPlication to Nano-Structure Formation

表面相图预测中的键工程及其在纳米结构形成中的应用

• 批准号: 18560020
• 负责人: ITO Tomonori
• 金额: $ 2.55万
• 依托单位: Mie University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560020/
• 关键词: 量子論的アプローチ; 半導体表面構造; 状態図; 計算科学; ナノ構造; 成長機構; ナノワイヤ; 量子ドット; 積層欠陥四面体

ボンドエンジニアリング概念に基づく量子論的アプローチにより, ナノ構造形成に重要な「場」としての半導体表面を対象に, 成長条件である温度, 分子線圧力の関数としての表面状態図の理論予測を行った。具体的には, GaAs(001)表面構造予測と計算手法の妥当性の検証, GaAs(lll)表面構造予測とSiドーピング機構, GaN(0001)表面構造予測とGaN成長初期過程, 化合物半導体ナノワイヤにおける構造多形の成因, 積層欠陥四面体形成機構, SiC(ll-20)表面上のAIN薄膜形成過程および構造多形等について検討を行い, ボンドエンジニアリング概念に基づく表面状態図予測のナノ構造形成機構解明への有用性を示した。

ボ ン ド エ ン ジ ニ ア リ ン グ concept に base づ く quantum theory of ア プ ロ ー チ に よ り, ナ ノ に important structure formation な "field" と し て の を semiconductor surface like に seaborne, growth conditions で あ る temperature, molecular line pressure の masato number と し て の surface state 図 の を theory to the test line っ た. Specific に は, GaAs (001) surface structure to the calculative methods の と justice の 検 card, GaAs (the name 'LLL) surface structure can be と Si ド ー ピ ン グ institutions, GaN (0001) surface structure can be と GaN early growth process, compound semiconductor ナ ノ ワ イ ヤ に お け る tectonic polymorphic の causes, Horizon owe 陥 tetrahedron form institutions, SiC (ll - 20) on the surface of の AIN thin film formation process お よ び structure polymorphic に つ い て 検 for line を い, ボ ン ド エ ン ジ ニ ア リ ン グ concept に base づ く surface state 図 be の ナ ノ agencies interpret structure formation へ の usefulness を shown し た.

项目成果

Monte Carlo simulation of atomic arrangement in InGaN thin film grown by MOVPE

MOVPE 生长的 InGaN 薄膜原子排列的蒙特卡罗模拟

• 发表时间: 2009
• 期刊: Journal of Crystal Growth 311
• 作者: Yoshihiro Kangawa;Koichi Kakimoto;Tomonori Ito;Akinori Koukitu
• 通讯作者: Akinori Koukitu

Theoretical investigations on the fbrmation of wurtzite segments in group III-V semiconductor nanowires

III-V族半导体纳米线中纤锌矿链段形成的理论研究

• 发表时间: 2008
• 期刊: ApPl. Surf. Sci 254
• 作者: T.Yamashita;K.Sano;T.Akivama;K.Nakamura;and T.Ito
• 通讯作者: and T.Ito

An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaAs (001)-(2x4)γ surfaces

基于从头算的 GaAs (001)-(2x4)γ 表面相图计算方法

• 发表时间: 2008
• 期刊: Applied Surface Science 254
• 作者: Tomonori Ito;Toru Akiyama;Kohji Nakamura
• 通讯作者: Kohji Nakamura

Theoretical investigations on the formation of wurtzite segments in group III-V semiconductor nanowires

III-V族半导体纳米线中纤锌矿链段形成的理论研究

• 发表时间: 2007
• 作者: T.Yamashita;K.Sano;T.Akivama;K.Nakamura;and T.Ito
• 通讯作者: and T.Ito

An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaAs(001)-(2x4)Y surfaces

基于从头算的 GaAs(001)-(2x4)Y 表面相图计算方法

• 发表时间: 2007
• 作者: Tomonori Ito;Toru Aldyama;Kohji Nakamura
• 通讯作者: Kohji Nakamura