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Physics in wetting layer on bond engineering
粘合工程润湿层物理
基本信息
- 批准号：24560025
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effects of Zn doping on the surface structure and initial growth processes of InP thin film layers on InP(111)B substrate
Zn掺杂对InP(111)B衬底上InP薄膜层表面结构及初始生长过程的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0.7
- 作者：Masataka Kato;Toru Akiyama;Kohji Nakamura;and Tomonori Ito
- 通讯作者：and Tomonori Ito
Ab initio-based approach to structural change in InAs(001)-(2×3) wetting layer surfaces during MBE growth
MBE 生长过程中 InAs(001)-(2×3) 润湿层表面结构变化的从头计算方法
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0.7
- 作者：Tomonori Ito;Toru Akiyama;and Kohji Nakamura
- 通讯作者：and Kohji Nakamura
Empirical interatomic potential approach to the stability of graphitic structure in ANB8-N compounds
ANB8-N 化合物中石墨结构稳定性的经验原子间势方法
- DOI：10.7567/jjap.53.110304
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Tomonori Ito;Toru Akiyama;and Kohji Nakamura
- 通讯作者：and Kohji Nakamura
Systematic theoretical investigations for atomic arrangements of GaNxAs1-x nanowires surrounded by semiconductor template
半导体模板包围GaNxAs1-x纳米线原子排列的系统理论研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0.7
- 作者：Masataka Kato;Toru Akiyama;Kohji Nakamura;and Tomonori Ito
- 通讯作者：and Tomonori Ito
InAsナノワイヤの電子構造および電気伝導率に関する理論的検討
InAs纳米线电子结构和电导率的理论研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Isao Takahashi;Harumi Sato;Yukihiro Ozaki;Xiaoli Sun and Shouke Yan;秋山亨，中村浩次，伊藤智徳
- 通讯作者：秋山亨，中村浩次，伊藤智徳
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<i>Ab initio</i> study for adsorption and desorption behavior at step edges of AlN(0001) and GaN(0001) surfaces
AlN(0001) 和 GaN(0001) 表面阶梯边缘吸附和解吸行为的从头算研究
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10.7567/1347-4065/ab6566 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Akiyama Toru;Ohka Takumi;Nakamura Kohji;ITO Tomonori - 通讯作者：
ITO Tomonori
Black TiO2 の水素分布と電子状
黑色TiO2的氢分布和电子态
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
Akiyama Toru;Ohka Takumi;Nakamura Kohji;ITO Tomonori;松本益明，岡田朋大，Markus Wilde，福谷克之，間瀬一彦，金秀光，谷本育律，本田融;藤本 将秀，松本 益明，長塚 直樹，福谷 克之 - 通讯作者：
藤本 将秀，松本 益明，長塚 直樹，福谷 克之
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$ 3.41万 - 项目类别：
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$ 3.41万 - 项目类别：
Standard Grant
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PYI：超大规模集成电路薄外延半导体层的生长和应用
- 批准号：
8657227 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Continuing Grant
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利用极薄非晶半导体层产生热电的热工程研究。
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60420029 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)