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Surface passivation of GaN by graphene layers

石墨烯层对 GaN 的表面钝化

基本信息

批准号：
21560352
负责人：
SHIOJIMA Kenji
金额：
$ 3万
依托单位：
University of Fukui
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560352/
关键词：
グラフェン表面保護電子デバイス GaN

项目摘要

We proposed a new technology for surface passivation of GaN by graphene layers, which have no dangling bonds on the surface, in order to improve electron device characteristics. Large area transfer of the graphene layers from SiC substrates on GaN was succeeded, and oxygen plasma etching process was established. We found Schottky barrier lowering by inserting the graphene layers into Ni/GaN interfaces.

为了改善GaN电子器件的性能，提出了一种新的GaN表面钝化技术--石墨烯钝化技术。成功地将SiC衬底上的石墨烯层大面积转移到GaN上，并建立了氧等离子体刻蚀工艺。我们发现通过将石墨烯层插入Ni/GaN界面，肖特基势垒降低。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

AlN/InN metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor

AlN/InN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管

DOI：
10.1002/pssc.200983597
发表时间：
2010
期刊：
Phys. Status Solidi(C)
影响因子：
0
作者：
Md. Sherajul Islam;Sakib M. Muhtadi;Md. Tanvir Hasan;Ashraful G. Bhuiyan;Md. Rafiqul Islam;A. Hashimoto and A. Yamamoto
通讯作者：
A. Hashimoto and A. Yamamoto

Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure

具有凹进式复合肖特基势垒结构的 GaN 基二极管的理论研究

DOI：
10.1143/jjap.48.04c103
发表时间：
2009
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
0
作者：
H. Makino;N. Ishikawa;K. Shiojima;M. Kuzuhara
通讯作者：
M. Kuzuhara

Simulation of tunneling contact resistivity in non-polar AlGaN/GaN Heterostructures

非极性 AlGaN/GaN 异质结构中的隧道接触电阻率模拟

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
IEICE Trans.Electron. E92-C
影响因子：
0
作者：
Hironari Chikaoka;Yoichi Takakuwa;Kenji Shiojima;Masaaki Kuzuhara
通讯作者：
Masaaki Kuzuhara

Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene

电子束辐照对石墨烯固体C_<60>外延的影响

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Diamond & Related Materials 18
影响因子：
0
作者：
Akihiro Hashimoto;Hiromitsu Terasaki;Akio Yamamoto;Satoru Tanaka
通讯作者：
Satoru Tanaka

大面積転写エピタキシャルグラフェンの偏光顕微ラマン散乱分光

大面积转移外延石墨烯的偏光显微拉曼散射光谱

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yusuke Ohashi;Yusuke Suzuki;Masato Ohnishi;Ken Suzuki;Hideo Miura;馬場俊彦;玉川大輔
通讯作者：
玉川大輔

DOI：
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发表时间：
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期刊：
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作者：
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通讯作者：
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作者：
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SHIOJIMA Kenji其他文献

Mg-Doping-Concentration Dependence for Ni/p-GaN Schottky Contacts

Ni/p-GaN 肖特基接触的 Mg 掺杂浓度依赖性

DOI：
10.2472/jsms.69.717
发表时间：
2020
期刊：
Journal of the Society of Materials Science, Japan
影响因子：
0
作者：
H. Sekiguchi;Y. Higashi;K. Yamane;H. Okada;A. Wakahara;K. Kishino;SHIOJIMA Kenji
通讯作者：
SHIOJIMA Kenji