Studies on hetero epitaxial growth of room-temperature ferromagnetic dielectric insulator films and their device application

室温铁磁介质绝缘薄膜异质外延生长及其器件应用研究

基本信息

  • 批准号:
    21560725
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Ba(Fe_<0.2> Zr_<0.8>) O_<3-δ>(BFZO) films were synthesized on Si(001) substrates using SrTiO_3(STO) buffer layers by pulsed laser-beam deposition. According to the in-plane high resolution TEM analysis, the STO-buffered BFZO films partially grew epitaxially on the STO buffer layers with orientation relationships, such as(100) BFZO//(100) STO ;[001] BFZO//[001] STO and(110) BFZO//(110) STO ;[001] BFZO//[001] STO. The results of the XPS analysis using soft X-ray radiation indicated that the relative amount of the Fe4+ions fairly increased for the STO-buffered BFZO films rather than for the BFZO films directly deposited on Si substrates. This causes the almost three times larger magnetization of the STO-buffered BFZO films.
采用<0.2><0.8>脉冲激光束沉积法在Si(001)衬底上以SrTiO_3(STO)为缓冲层制备了Ba(Fe_ Zr_)O_(3-δ)(BFZO)薄膜。根据面内高分辨TEM分析,STO缓冲BFZO薄膜部分外延生长在STO缓冲层上,具有(100)BFZO//(100)STO ;[001] BFZO//[001] STO和(110)BFZO//(110)STO ;[001] BFZO//[001] STO等取向关系。软X射线光电子能谱分析结果表明,与直接沉积在Si衬底上的BFZO薄膜相比,STO缓冲BFZO薄膜中Fe ~(4+)离子的相对含量明显增加。这导致STO缓冲的BFZO膜的磁化强度几乎是STO缓冲的BFZO膜的三倍。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Control of oxygen deficiency by swift heavy ion irradiation and its effect on structural and magnetic properties for epitaxial Ba(Fe_<0.5>Mn_<0.5>)O_<3-δ> thin films
快速重离子辐照控制氧缺陷及其对外延Ba(Fe_<0.5>Mn_<0.5>)O_<3-δ>薄膜结构和磁性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R.Shinoda;T.Matsui;N.Ishikawa;A.Iwase
  • 通讯作者:
    A.Iwase
Synthesis and novel application of nano- or mezzo-scale porous β-SiC and SiC
纳米或中间尺度多孔β-SiC和SiC的合成及新应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Matsui;H.Tsuda;et al
  • 通讯作者:
    et al
Ba(Fe0.5Sn0.5)O3エピタキシャル薄膜の電磁気特性評価
Ba(Fe0.5Sn0.5)O3外延薄膜的电磁性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    篠田遼一;岩瀬彰宏;松井利之
  • 通讯作者:
    松井利之
Change in magnetic properties induced by swift heavy ion irradiation in CeO_2
快速重离子辐照引起的CeO_2磁性能变化
  • DOI:
    10.1016/j.nimb.2012.01.008
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K.Shimizu;S.Kosugi;Y.Tahara;K.Yasunaga;Y.Kaneta;N.Ishikawa;F.Hori;T.Matsui;A.Iwase
  • 通讯作者:
    A.Iwase
Ba(Fe_<0.5> Sn_<0.5>) O_3エピタキシャル薄膜の電磁気特性評価
Ba(Fe_<0.5> Sn_<0.5>) O_3外延薄膜的电磁性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    篠田遼一;岩瀬彰宏;松井利之
  • 通讯作者:
    松井利之
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

MATSUI Toshiyuki其他文献

MATSUI Toshiyuki的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('MATSUI Toshiyuki', 18)}}的其他基金

Material integration and device design for ferroelectric and dielectric thin films with ferromagnetic spin ordering
具有铁磁自旋排序的铁电和介电薄膜的材料集成和器件设计
  • 批准号:
    19560707
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

Investigating the Effects of Charge Carrier Modulation in the Development of Ferromagnetic Order in Semiconducting Oxides
研究载流子调制对半导体氧化物铁磁有序发展的影响
  • 批准号:
    1006381
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Direct Probing of Fermi Surface Instability with SDW-type Anti-ferromagnetic Order
用SDW型反铁磁序直接探测费米表面不稳定性
  • 批准号:
    22540382
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
三角格子導電性酸化物における反強磁性秩序とカイラリティ秩序
三角晶格导电氧化物中的反铁磁序和手性序
  • 批准号:
    09J00973
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Ultrafast generation and manipulation of ferromagnetic order
铁磁有序的超快生成和操纵
  • 批准号:
    27174166
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Priority Programmes
STM/STSによる高温超伝導と磁場誘起反強磁性秩序の共存状態に関する研究
STM/STS研究高温超导与磁场感应反铁磁序共存
  • 批准号:
    15740193
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Fermi surface and anti-ferromagnetic order in 2D organic condutors
二维有机导体中的费米面和反铁磁序
  • 批准号:
    04640322
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
3-5族希薄磁性半導体の強磁性秩序と電気伝導・光物性
稀3-5族磁性半导体的铁磁序和电导/光学性质
  • 批准号:
    04650001
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了