Material integration and device design for ferroelectric and dielectric thin films with ferromagnetic spin ordering
Material integration and device design for ferroelectric and dielectric thin films with ferromagnetic spin ordering
具有铁磁自旋排序的铁电和介电薄膜的材料集成和器件设计
批准号：
19560707
负责人：
MATSUI Toshiyuki
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
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英文摘要
本研究は, 環境にやさしいBa系ペロブスカイト酸化物のナノ構造を制御することによる強磁性誘電体薄膜材料の創製およびその物性起源の解明を目指し, 室温強磁性を有するBa(Fe,Zr)O_3単結晶誘電体薄膜の物質開発に成功した.また, その強磁性磁気秩序の起源が, 基板と薄膜の格子定数の相違によるミスフィットに起因する歪場の形成に伴うFe^<4+>イオンの偏析にあることを明らかにした
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Effect of Bi substitution on the magnetic and dielectric properties of epitaxially grown BaFe_0.3Zr_0.7O_<3-δ> thin films on SrTiO_3 substrates
Bi取代对SrTiO_3衬底上外延生长BaFe_0.3Zr_0.7O_<3-δ>薄膜磁介电性能的影响
Bi取代对SrTiO_3衬底上外延生长BaFe_0.3Zr_0.7O_<3-δ>薄膜磁介电性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Joumal of Physics and Chemistry of Solids 68
影响因子：
--
作者：
[T.Matsui, et. al.]
通讯作者：
et. al.
磁性誘電体薄膜物質開発とナノ構造評価
磁介电薄膜材料的开发及纳米结构评价
磁介电薄膜材料的开发及纳米结构评价
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
ニューセラミックレター vol. 38
影响因子：
--
作者：
[H. Ito, T. Nozaki, A. Saikubo, N. Yamada, K. Kanda, M. Niibe, H. Saitoh, 松井利之]
通讯作者：
松井利之
DOI：
10.1063/1.3059407
发表时间：
2009-02
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[H. Kanatani;H. Kume;T. Matsui]
通讯作者：
H. Kanatani;H. Kume;T. Matsui
DOI：
10.1063/1.2836709
发表时间：
2008-02
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[T. Matsui;R. Sato;H. Tsuda]
通讯作者：
T. Matsui;R. Sato;H. Tsuda
Ba(Fe_<0.5>Mn_<0.5>)O_<3-δ>単結晶薄膜におけるFe, Mnの価数状態と電磁気特性
Ba(Fe_<0.5>Mn_<0.5>)O_<3-δ>单晶薄膜中Fe、Mn的价态及电磁特性
Ba(Fe_<0.5>Mn_<0.5>)O_<3-δ>单晶薄膜中Fe、Mn的价态及电磁特性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[勝部浩次, 他]
通讯作者：
他
共 17 条
Studies on hetero epitaxial growth of room-temperature ferromagnetic dielectric insulator films and their device application
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批准号：21560725
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2009
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负责人：MATSUI Toshiyuki
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依托单位：
海外基金