半導体ナノ構造とフォトニック結晶マイクロ共振器の分光研究

半导体纳米结构和光子晶体微腔的光谱研究

基本信息

  • 批准号:
    09F09734
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.77万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は液滴エピタキシー法で作製するGaAs量子ドットなどの半導体ナノ構造について,(1)ナノ構造の形状の異方性による電子準位の分裂と偏光特性の詳細な評価,(2)ファブリペロー共振器を用いたスペクトル幅の精密測定による位相緩和過程の解析,(3)ファブリペロー共振器と光子相関測定の併用による励起子準位のスペクトル拡散の直接測定,および,(4)フォトニック結晶マイクロ共振器を利用した単一ドット共鳴SHG(第2高調波発生)の実現,を目的とする。平成22年度には,液滴エピタキシー法で作製したGaAs量子ドットを対象に,偏光による励起子準位の分裂(微細構造分裂)を詳細に評価した。これまでの(1,0,0)面に代えて,AlGaAs(1,1,1)A基板面上に形成したGaAs量子ドットは面内の対称性が特に高く,ドットサイズに依らず,20μeVという極めて小さな微細構造分裂を示すことが判明した。スペクトル幅については,昨年自作したファブリペロー干渉計による高分解能測定で4μeVの値が得られた。この値は,自己成長量子ドットの中でも最高値と言うことができ,結晶品質の高さを裏付けるものである。励起子準位のスペクトル拡散については,ファブリペロー干渉計と光子相関計測装置を組み合わせた測定から,特性時間が数百ナノ秒と見積もられた。さらに,励起子分子とトリオンの結合エネルギーのドットサイズ依存性を詳細に測定し,量子モンテカルロ法による理論値とよく整合する結果を得た。液滴エピタキシー法による格子整合系量子ドットでは内部歪みによるピエゾ電場が無く,結合エネルギーのドットサイズ依存性などの測定が可能であることから,少数多体系の電子相関の研究に格好の試料であることが今回の測定から明らかになった。
In this study, the droplet temperature measurement method is used to build the GaAs quantum semiconductor device, (1) the shape parameter, the preparation position, the polarization characteristic, the polarization characteristic, and (2) the precision measurement of the phase phase and process of the resonator. (3) the photon phase measurement of the resonator, the photon phase measurement, the photon phase measurement, the In the 22nd year of Pingcheng, the droplet method is used to generate the GaAs quantum image, and the polarizing exciter prepares the split (micro-generator to split), and the polarizing exciter prepares the split. On the surface of the AlGaAs (1meme 0), the surface of the AlGaAs (1) A substrate is characterized by the formation of the symmetry in the plane, the symmetry in the plane, the sensitivity, the size, the sensitivity, the sensitivity. In the past year, we have made a series of experiments to measure the high decomposition energy of 4 μ eV. If you want to grow up, you will be able to learn the most important words in the quantum system, and you will pay for it. The exciter prepares the device to disperse the temperature, the photon phase counter is used to measure the temperature, and the characteristic time is hundreds of seconds. In this paper, the molecular exciter is used to determine the dependence of the device. The quantum method is used to analyze the results of the integration process. The droplet thermal analysis method is used to verify the lattice integration system of the quantum thermal system, which is free of distortion in the system, combined with the determination of the dependence of the temperature field. A small number of multi-system electrified electrons are used to study the reliability of the system.

项目成果

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专利数量(0)
Self-Assembly of Symmetric GaAs Quantum Dots on (111)A Substrates: Suppression of Fine-Structure Splitting
  • DOI:
    10.1143/apex.3.065203
  • 发表时间:
    2010-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Mano, Takaaki;Abbarchi, Marco;Sakoda, Kazuaki
  • 通讯作者:
    Sakoda, Kazuaki
Improved droplet epitaxy technique for ultranarrow photoluminescence emission of GaAs/AlGaAs quantum dots
改进的液滴外延技术用于 GaAs/AlGaAs 量子点的超窄光致发光发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Abbarchi;他
  • 通讯作者:
Diamagnetic coefficient of excitonic complexes in GaAs/Al_<0.3>Ga_<0.7>As quantum dots
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.3
  • 作者:
    M.Abbarchi;他
  • 通讯作者:
Binding energy of exciton complexes in self-assembled GaAs quantum dots
自组装GaAs量子点中激子配合物的结合能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Abbarchi;他
  • 通讯作者:
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知道了