AlGaN系量子井戸構造における構造最適化モデルの構築

AlGaN基量子阱结构优化模型构建

• 批准号: 09J09815
• 负责人: 室谷 英彰
• 金额: $ 0.9万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09J09815/
• 关键词: AlGaN; 偏光特性; Si添加; 局在化; 励起子; 励起子分子; AlN; 反射スペクトル; フォトルミネセンス; 励起子ポラリトン; 局在励起子

AIGaN混晶半導体においてフォトルミネッセンス(PL)測定、時間分解PL測定、励起スペクトル測定を行い、励起子系光物性の評価を行った。まず、Si添加AIGaN混晶薄膜においてバンド端発光の偏光特性を評価した結果、これまでに報告されている値よりも高いAl組成比でバンド端発光における主な偏光成分がc軸偏光からc面内偏光へと入れ替わることが明らかとなった。この相違は、格子歪の違いを反映したものと考えられる。そこで、Si濃度の変化に伴い格子歪が変化することに注目し、偏光特性のSi添加濃度を調べた。その結果、Si濃度の増大に伴う格子歪の変化を反映してバンド端発光の主な偏光成分がc軸偏光からc面内偏光へと入れ替わることが明らかとなった。次に、高Al組成AlGaN混晶薄膜においてPLスペクトルの励起パワー密度依存性を測定した結果、局在励起子発光線の低エネルギー側に励起子分子と考えられる新たな発光線(XX)が観測された。このことを確認するために励起スペクトル測定を行った結果、励起子分子の2光子吸収ピークが明瞭に観測され、XX線が励起子分子発光線であることが確認された。励起子共鳴ピークと2光子吸収ピークのエネルギー差から励起子分子の結合エネルギーを導出したところ、GaNおよびAlNにおける励起子分子結合エネルギーよりも大きいことが分かった。この結果は、AlGaNにおける励起子分子の結合エネルギーがAl組成比に対して線形に変化せず、ボーイングを有することを示している。

AIGaN mixed crystal semiconductors are used to determine the optical properties (PL), time decomposition PL measurement, excitation of optical properties measurement and sub-system optical properties measurement. The polarizing properties of AIGaN mixed crystal thin films were added to Si. The results show that the ratio of Al components to polarizing components at the end of the report is higher than that of polarizing components. The squares are crooked, and the squares are crooked and reflect each other. The degree of polarization, the degree of Si, the distortion of lattice, the focus of attention, and the polarizing property of Si add the degree of distortion. The results show that the Si intensity is large and the lattice is skewed to reflect the main polarizing component of the polarizing light at the end of the polarizer. Sub-and high-Al AlGaN mixed crystal thin films are fabricated in high-voltage PL thin films. The results show that the density-dependent measurement results are based on the results of the density-dependent measurement, and the results show that the exciter molecules are used to improve the performance of the exciter optical line. We need to confirm that the results of the measurement results, the 2-photon absorption of the exciter, and the XX of the exciter are very clear. The exciter consists of two photons, two photons, two photons The results show that the combination of the AlGaN exciter molecule and the Al is better than that of the exciter molecule.

项目成果

Recombination dynamics of localized excitons in AlxGa1-xN (0.37<x<0.81) ternary alloys

AlxGa1-xN (0.37<x<0.81) 三元合金中局域激子的复合动力学

• DOI: 10.1002/pssc.201000899
• 发表时间: 2011
• 期刊: Physica Status Solidi c
• 作者: H. Murotani;R. Kittaka;S. Kurai;Y.Yamada;H. Miyake;K. Hiramatsu
• 通讯作者: K. Hiramatsu

Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich Al_x Gal-_xN ternary alloys

富铝Al_x Gal-_xN三元合金中局域双激子的巨大结合能

• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Ryo Kittaka;et al.
• 通讯作者: et al.

Exciton localization in Al-rich AlGaN ternary alloy epitaxial layers

富铝 AlGaN 三元合金外延层中的激子局域化

• 发表时间: 2010
• 期刊: Physica Status Solidi (c)
• 作者: Hideaki Murotani;et al.
• 通讯作者: et al.

Silicon concentration dependence of optical polarization in AlGaN epitaxial layers

AlGaN 外延层中光学偏振的硅浓度依赖性

• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Hideaki Murotani;et al.
• 通讯作者: et al.

Si添加AlGaN混晶薄膜におけるバンド端発光の偏光特性

Si掺杂AlGaN混晶薄膜带边发射的偏振特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 室谷英彰;他
• 通讯作者: 他