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窒化物半導体における励起子多体効果の発光デバイスへの応用可能性の検討
研究将氮化物半导体中的激子多体效应应用于发光器件的可能性
基本信息
- 批准号：23K03948
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Y.Fukuma
Stokes shift of biexcitons in AlGaN ternary alloy semiconductors
AlGaN 三元合金半导体中双激子的斯托克斯位移
- DOI：
- 发表时间：
2005 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
加藤博臣;船津健太郎;星陽一;分担執筆;Yoichi Yamada;Naohiko Shinomura;Y.Yamada et al.;N.Shinomura et al.;Yoichi Yamada;室谷 英彰;中村恒三;Y.Yamada;H.Murotani et al. - 通讯作者：
H.Murotani et al.
AlGaN混晶半導体における励起子分子のストークスシフト
AlGaN混晶半导体中激子分子的斯托克斯位移
- DOI：
- 发表时间：
2005 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
加藤博臣;船津健太郎;星陽一;分担執筆;Yoichi Yamada;Naohiko Shinomura;Y.Yamada et al.;N.Shinomura et al.;Yoichi Yamada;室谷 英彰 - 通讯作者：
室谷 英彰
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