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窒化物半導体における励起子多体効果の発光デバイスへの応用可能性の検討

窒化物半導体における励起子多体効果の発光デバイスへの応用可能性の検討
研究将氮化物半导体中的激子多体效应应用于发光器件的可能性
批准号:
23K03948
负责人:
室谷 英彰
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2026-03-31

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窒化物半導体を用いた励起子効果発光デバイスの実現可能性の検討
  • 批准号:
    20K04585
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.75万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    室谷 英彰
  • 依托单位:
AlGaN系量子井戸構造における構造最適化モデルの構築
  • 批准号:
    09J09815
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.9万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    室谷 英彰
  • 依托单位:
海外基金