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窒化物半導体における励起子多体効果の発光デバイスへの応用可能性の検討
研究将氮化物半导体中的激子多体效应应用于发光器件的可能性
基本信息
- 批准号：23K03948
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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室谷 英彰其他文献
接触抵抗が固有ジョセフソン接合の自己発熱へ与える影響
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- DOI：
- 发表时间：
2014 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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及川大，岩塚伸矢，室谷英彰，杉浦藤虎，塚本武彦
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- DOI：
- 发表时间：
2005 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
加藤博臣;船津健太郎;星陽一;分担執筆;Yoichi Yamada;Naohiko Shinomura;Y.Yamada et al.;N.Shinomura et al.;Yoichi Yamada;室谷 英彰;中村恒三;Y.Yamada - 通讯作者：
Y.Yamada
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
加藤博臣;船津健太郎;星陽一;分担執筆;Yoichi Yamada;Naohiko Shinomura;Y.Yamada et al.;N.Shinomura et al.;Yoichi Yamada;室谷 英彰;中村恒三;Y.Yamada;H.Murotani et al.;K.Nakamura et al.;室谷英彰;中村 恒三;Yoichi Yamada;Yoichi Yamada;Akihiko Ishibashi;Yoichi Yamada;Y.Yamada et al.;Y.Yamada et al.;A.Ishibashi et al.;Y.Yamada;Yoichi Yamada;Y.Fukuma - 通讯作者：
Y.Fukuma
AlGaN混晶半導体における励起子分子のストークスシフト
AlGaN混晶半导体中激子分子的斯托克斯位移
- DOI：
- 发表时间：
2005 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
加藤博臣;船津健太郎;星陽一;分担執筆;Yoichi Yamada;Naohiko Shinomura;Y.Yamada et al.;N.Shinomura et al.;Yoichi Yamada;室谷 英彰 - 通讯作者：
室谷 英彰
Stokes shift of biexcitons in AlGaN ternary alloy semiconductors
AlGaN 三元合金半导体中双激子的斯托克斯位移
- DOI：
- 发表时间：
2005 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
加藤博臣;船津健太郎;星陽一;分担執筆;Yoichi Yamada;Naohiko Shinomura;Y.Yamada et al.;N.Shinomura et al.;Yoichi Yamada;室谷 英彰;中村恒三;Y.Yamada;H.Murotani et al. - 通讯作者：
H.Murotani et al.
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窒化物半導体を用いた励起子効果発光デバイスの実現可能性の検討
采用氮化物半导体的激子效应发光器件的可行性研究
- 批准号：
20K04585 - 财政年份：2020
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09J09815 - 财政年份：2009
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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
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- 批准号：
23K22815 - 财政年份：2024
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窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
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- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
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- 批准号：
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- 批准号：
23K26572 - 财政年份：2024
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- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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- 批准号：
23K26148 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
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- 批准号：
24K00913 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
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