ラジカル制御による低誘電率層間絶縁膜のダメージフリープロセスに関する研究

自由基控制低介电常数层间介质薄膜无损伤工艺研究

基本信息

  • 批准号:
    09J10187
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

ラジカル制御による低誘電率層間絶縁膜のダメージフリープロセスを実現するための研究計画に基づき、平成23年度は、低誘電率層間絶縁膜へのプラズマアッシングダメージ発生のメカニズム解明を行った。半導体製造プロセス中にLow-k膜がダメージを受ける状況を再現するため、Siプレート、MgF_2ウィンドウを、チャンバー内で水平移動可能なプローブに吊るし、サンプル上に密着あるいは隙間を空けて配置することでプラズマアッシング時にプラズマ中のイオン、ラジカル、光がポーラスSiOCH膜に与える影響を分離して評価をおこなった。実験では100MHz/2MHz二周波容量結合型プラズマ装置を用い、ポーラスSiOCH膜へH_2/N_2プラズマを曝露させその変化を観測するため、in-situで計測可能な反射型FT-IR、分光エリプソメトリーなどの表面分析を行った。これらの表面計測の結果より、H_2/N_2プラズマおよびその後の大気曝露によりポーラスSiOCH膜中および表面で起こる反応を解明した。特に、ポーラスSiOCH膜中のSi-O-Si構造、Si-CH_3基などの化学構造の変化に着目した。また、これらin situでのFT-IR高感度反射吸収分光法と分光エリプソメトリーによる表面計測およびポーラスSiOCH膜とプラズマの化学反応に直接関わるラジカルの密度を計測した。これらの実験結果から、大気中の水分により形成されたSi-OH基同士の脱水縮合反応により新たなSi-O-Si構造が形成されるメカニズムを提唱し、ポーラスSiOCH膜の低ダメージプラズマプロセスとして、Nラジカルによる表面窒化処理および大気曝露フリープロセスを提案した。
The research plan for the development of low-permittivity interlayer insulation film in the future is based on the basic theory and the development of low-permittivity interlayer insulation film in 2003. In semiconductor production, Low-k films are subjected to various conditions such as temperature, Si temperature, MgF_2 temperature and temperature. Horizontal movement is possible in the semiconductor production process, and the influence of SiOCH film on the temperature, temperature and temperature can be separated. In this paper, the 100MHz/2MHz dual-cycle capacity-combined FT-IR device is used, and the SiOCH film H_2/N_2 is exposed to the change of temperature. The in-situ measurement of possible reflective FT-IR, spectroscopic FT-IR and surface analysis are carried out. The results of surface measurement show that the H_2/N_2 ratio is higher than that of the SiOCH ratio. In particular, Si-O-Si structure and Si-CH_3-based chemical structure in SiOCH films are of great importance. FT-IR high-sensitivity reflectance absorption spectroscopy, spectroscopic spectroscopy, surface measurement, SiOCH film, chemical reaction, and density measurement As a result of this, the formation of Si-OH-based dehydration condensation reactions in the presence of moisture in the atmosphere, the formation of new Si-O-Si structures, and the formation of SiOCH films with low temperature and high temperature exposure surface treatment were proposed.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
In-situ Evaluation of H_2 Plasma Damage on Porous SiOCH Low-k Films
多孔SiOCH Low-k薄膜H_2等离子体损伤的原位评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋明彦;竹原浩太;戸田真史;山本洋
  • 通讯作者:
    山本洋
Modification of Si-O-Si Structure in Porous SiOCH Films by O2 plasma
O2等离子体对多孔SiOCH薄膜中Si-O-Si结构的改性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawasaki;K.;M.Kiku;Keigo Nakamura;山本洋
  • 通讯作者:
    山本洋
In-situ FTIRを用いたプラズマ曝露および大気曝露によるポーラスSiOCH low-k膜の化学組成変化解析
使用原位 FTIR 分析由于等离子体暴露和大气暴露而导致的多孔 SiOCH 低 k 薄膜的化学成分变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中坪太久郎;他;中坪太久郎;Keigo Nakamura;Keigo Nakamura;川崎浩司・菊雅美;山本洋
  • 通讯作者:
    山本洋
Mechanism of Modification of in Si-O-Si Structure in Porous SiOCH Low-k Films by H2/N2 plasma
H2/N2 等离子体对多孔 SiOCH Low-k 薄膜中 Si-O-Si 结构的改性机理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    寺村佳子;前田新一;山本洋
  • 通讯作者:
    山本洋
Observation of 193-nm Photoresist Surface Exposed to Etching Plasma Employing C5HF7 Gas Chemistry
使用 C5HF7 气体化学观察暴露于蚀刻等离子体的 193 nm 光刻胶表面
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akihiko Takahashi;Kohta Takehara;菊雅美;山本洋
  • 通讯作者:
    山本洋
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

山本 洋其他文献

風土記をいかに「研究」するか―本文研究、研究史の視座から―
如何“研究”风土记:从考证与研究史的角度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    横溝博;小嶋菜温子;長谷川範彰;山本 洋;松本和也;松本和也;兼岡理恵
  • 通讯作者:
    兼岡理恵
喘息-COPDオーバーラップ症候群(ACOS)の後方視的検討
哮喘-慢性阻塞性肺病重叠综合征 (ACOS) 的回顾性审查
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小松雅宙;安尾将法;立石一成;小林信光;牛木淳人;漆畑一寿;山本 洋; 花岡正幸
  • 通讯作者:
    花岡正幸
IgG4陽性形質細胞過形成性のびまん性肺病変群の病理学的検討
IgG4阳性浆细胞增生的肺部弥漫性病变的病理检查
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    寺崎 泰弘;蛇澤 晶;河端 美則;武村 民子;小松 雅宙;山本 洋;小倉 高志
  • 通讯作者:
    小倉 高志
「『常陸国風土記』―近世地誌・縁起からみる『常陸国風土記』」
“‘日立国风土记’ - 从近代早期的地形和吉祥起源看‘日立国风土记’”
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    横溝博;小嶋菜温子;長谷川範彰;山本 洋;松本和也;松本和也;兼岡理恵;兼岡理恵;兼岡理恵;兼岡理恵
  • 通讯作者:
    兼岡理恵
関節リウマチ合併間質性肺障害のバイオマーカーとしてのペリオスチンの解析
骨膜素作为类风湿性关节炎相关间质性肺疾病生物标志物的分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中村 雅之;岡元 昌樹;藤本 公則;山本 洋;高橋 浩一郎;一木 昌郎;福島 康次;坂本 憲穂;梅木 健二;出原 賢治;星野 友昭
  • 通讯作者:
    星野 友昭

山本 洋的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('山本 洋', 18)}}的其他基金

The differences between Interstitial lung diseases with IgG4-positive cell infiltration and IgG4-related respiratory disease
IgG4阳性细胞浸润间质性肺疾病与IgG4相关呼吸系统疾病的区别
  • 批准号:
    21K08175
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
計量テキスト分析を用いた戦国軍記研究
使用定量文本分析进行战国军事编年史研究
  • 批准号:
    20K12559
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
肺血管床および肺血管内皮障害時における123I-MIBGシンチ肺集積の意義
123I-MIBG 肺血管床闪烁肺积聚和肺血管内皮疾病的意义
  • 批准号:
    12770484
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
不安定核ビームの高度利用のための核データ測定
不稳定核束先进利用的核数据测量
  • 批准号:
    07680527
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
不安定核ビームの高度利用のための崩壊データの測定
测量衰变数据以先进利用不稳定核束
  • 批准号:
    05680415
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
ガス・ジェット法による中性子過剰核の研究
气体射流法研究富中子核
  • 批准号:
    X00095----468081
  • 财政年份:
    1979
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
電気泳動法を用いて核分裂生成物の迅速分離による短寿命核の研究
通过电泳快速分离裂变产物研究短寿命原子核
  • 批准号:
    X00210----074117
  • 财政年份:
    1975
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

PREPARATION OF ULTRA LOW-K MATERIAL BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD.
化学气相沉积法制备超低K材料。
  • 批准号:
    12650022
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了