Development of Key Technologies for the Multi-probe Spectroscopy based on Near-field Optics

基于近场光学的多探针光谱关键技术研究进展

• 批准号: 21226001
• 负责人: KAWAKAMI Yoichi
• 金额: $ 103.08万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009-05-11 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21226001/
• 关键词: 近接場光学; マルチプローブ分光; 半導体ナノ構造; 発光機構解明; 新規顕微分光応用; マルチプローブ技術; 光物性; 半導体; ナノ構造; プラズモニクス; 光計測; 走査プローブ顕微鏡

We have succeeded in the development of key technologies of the multi-probe spectroscopy based on near-field optics, where local area of a sample was photo-excited through an optical fiber probe having a small aperture, and the optical signal from a space a few hundreds nm apart was detected through another fiber probe. This spectroscopy enables us to visualize the recombination dynamics of elementary excitations such as carriers, excitons and plasmons in photonic materials like semiconductor nano-structures, and leads to a new tool for fundamental optical characterization.

我们成功地开发了基于近场光学的多探针光谱学的关键技术，其中样品的局部区域通过具有小孔径的光纤探针被光激发，并且来自相距几百nm的空间的光信号通过另一光纤探针被检测。这种光谱使我们能够可视化的基本激发，如载流子，激子和等离子体激元在光子材料，如半导体纳米结构的复合动力学，并导致一个新的工具，基本的光学表征。

项目成果

Strain states in semipolar III-nitride semiconductor quantum wells

• DOI: 10.1063/1.3446297
• 发表时间: 2010-06-15
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Funato, M.;Inoue, D.;Mukai, T.
• 通讯作者: Mukai, T.

近接場マルチプローブ分光技術の開発 －ナノ構造における素励起の可視化を目指して－

近场多探针光谱技术的发展 - 旨在可视化纳米结构中的基本激发 -

• 作者: M.Abe;Y.Fukaya;H.Ohno;橋本貴浩;川上養一
• 通讯作者: 川上養一

Emission properties of localized excitons in weakly excited Al-rich AlGaN/AlN quantum wells

弱激发富铝AlGaN/AlN量子阱中局域激子的发射特性

• 作者: T. Oto;R. G. Banal;M. Funato and Y. Kawakami
• 通讯作者: M. Funato and Y. Kawakami

Exciton-LO Phonon Coupling Strength in AlGaN/AlN Quantum Wells

AlGaN/AlN 量子阱中的激子-LO 声子耦合强度

• 作者: R. G. Banal;M. Funato and Y. Kawakami
• 通讯作者: M. Funato and Y. Kawakami

AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源

AlN PL 光谱中奇特峰的起源

• 作者: 石井良太;船戸 充;川上養一
• 通讯作者: 川上養一