Development of key technologies for the measurement of luminescence dynamics in the nano-space

纳米空间发光动力学测量关键技术开发

• 批准号: 18206002
• 负责人: KAWAKAMI Yoichi
• 金额: $ 31.03万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206002/
• 关键词: 近接場分光; フォトルミネッセンス; 発光ダイナミクス; 先進フォトセンシング; 窒化物半導体; 量子ナノ構造; 局在発光制御; バイオセンシング; マルチプローブ技術; バイオセンシング応用; 発光機構解明; InGaNナノ構造; 輻射再結合; 非輻射再結合; 局在励起子; 時間空間ダイナミクス

近接場光学顕微鏡(SNOM)によるInGaN/GaN量子井戸(QW)の詳細なルミネッセンスマッピングを行い,青色発光QWにおける発光中心への励起子の局在(localization)や非発光中心への捕獲抑制(anti-localization)効果が観測するとともに,緑色発光QWにおける非発光再結合中心の生成と励起子の拡散・捕獲ダイナミクスを測定した。つぎに,新たに見出された半極性面QWにおいて,高い内部量子効率の緑色発光を初めて詳細に明らかにした。また,本手法を生きた細胞の振動計測に適用し,細胞状態の薬剤反応に関して新しい知見を得た。さらに,偏光異方性マッピングや高屈折率光学材料におけるプラズモン効果など,次世代のSNOM 応用に繋がる成果を得た。

The near-field optical micrometer (SNOM), the InGaN/GaN quantum well (QW), the cyan QW, the exciter, the optical center, the optical center, the optical center, The color QW device does not combine the light with the center to generate the exciter. In this case, the new device has a high internal quantum rate (QR) and a high internal quantum rate (QR) of the semipolar QW. In this method, the cell vibration program is used, and the cellular system is used to get the information. The optical materials with high refractive index are highly polarized, and the next generation SNOM is used to obtain the results.

项目成果

半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における偏光ルミネッセンスの温度特性

半极性{11-22}InGaN/GaN量子阱中偏振发光的温度特性

• 发表时间: 2008
• 作者: 上田雅也;船戸充;川上養一;成川幸男;向井孝志
• 通讯作者: 向井孝志

発光と受光の物理と応用

光发射和光接收的物理和应用

• 发表时间: 2008
• 作者: 共著;(監修:小林洋志)
• 通讯作者: (監修:小林洋志)

Light emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells

基于半极性取向InGaN/GaN量子阱的发光器件

• 发表时间: 2007
• 作者: Y. Kawakami;M. Ueda;M. Funato;Y. Narukawa;T. Mukai
• 通讯作者: T. Mukai

Anisotropic stimulated emission and gan formation of non c plane InGaN laser diodes

非c面InGaN激光二极管的各向异性受激发射和GaN形成

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;S. Nasahama;T. Mukai
• 通讯作者: T. Mukai

Anisotropic Stimulated Emission and Gain Formation ofNon c Plane InGaN Laser Diodes

非c面InGaN激光二极管的各向异性受激发射和增益形成

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;S. Nagahama;T. Mukai
• 通讯作者: T. Mukai