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Development of key technologies for the measurement of luminescence dynamics in the nano-space

Development of key technologies for the measurement of luminescence dynamics in the nano-space
纳米空间发光动力学测量关键技术开发
批准号：
18206002
负责人：
KAWAKAMI Yoichi
金额：
$31.03万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206002/
关键词：
近接場分光フォトルミネッセンス発光ダイナミクス先進フォトセンシング窒化物半導体量子ナノ構造局在発光制御バイオセンシングマルチプローブ技術バイオセンシング応用発光機構解明InGaNナノ構造輻射再結合非輻射再結合局在励起子時間空間ダイナミクス

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近接場光学顕微鏡(SNOM)によるInGaN/GaN量子井戸(QW)の詳細なルミネッセンスマッピングを行い,青色発光QWにおける発光中心への励起子の局在(localization)や非発光中心への捕獲抑制(anti-localization)効果が観測するとともに,緑色発光QWにおける非発光再結合中心の生成と励起子の拡散・捕獲ダイナミクスを測定した。つぎに,新たに見出された半極性面QWにおいて,高い内部量子効率の緑色発光を初めて詳細に明らかにした。また,本手法を生きた細胞の振動計測に適用し,細胞状態の薬剤反応に関して新しい知見を得た。さらに,偏光異方性マッピングや高屈折率光学材料におけるプラズモン効果など,次世代のSNOM 応用に繋がる成果を得た。
期刊论文(73)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における偏光ルミネッセンスの温度特性
半极性{11-22}InGaN/GaN量子阱中偏振发光的温度特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [上田雅也, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志]
通讯作者： 向井孝志
発光と受光の物理と応用
光发射和光接收的物理和应用
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [共著, (監修:小林洋志)]
通讯作者： (監修:小林洋志)
Light emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells
基于半极性取向InGaN/GaN量子阱的发光器件
DOI： --
发表时间： 2007
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影响因子： --
作者： [Y. Kawakami, M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai]
通讯作者： T. Mukai
Anisotropic stimulated emission and gan formation of non c plane InGaN laser diodes
非c面InGaN激光二极管的各向异性受激发射和GaN形成
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nasahama, T. Mukai]
通讯作者： T. Mukai
Development of Key Technologies for the Multi-probe Spectroscopy based on Near-field Optics
  • 批准号：
    21226001
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 资助金额：
    $103.08万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    KAWAKAMI Yoichi
  • 依托单位：
    Kyoto University
The assessment of emission mechanism in GaN-based nano-structures by scanning near-field optical microscopy
  • 批准号：
    15206033
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $25.79万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    KAWAKAMI Yoichi
  • 依托单位：
    Kyoto University
Study on nonradiative recombination mechanism in widegap semiconductors
  • 批准号：
    12450011
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $8.7万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    KAWAKAMI Yoichi
  • 依托单位：
    KYOTO UNIVERSITY
Basic Research for the Development of Laser Diode with Low-threshold Current Density Utilizing Large Oscillator Strength of Excitonic System
  • 批准号：
    09450128
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.16万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    KAWAKAMI Yoichi
  • 依托单位：
    KYOTO UNIVERSITY
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