Spektroskopische Untersuchung zum Einbauverhalten des Stickstoffs in den ternären und quaternären Legierungssystemen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx

Die ternären und quaternären Legierungen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx haben in j<s:1> ngster Zeit international große Beachtung gefunden als Ausgangsmaterial f<s:1> r Halbleiterlaser in Wellenlängenbereich von 1.3 bis 1.55µm und f<s:1> hocheffiziente Solarzellen。Die epitaktisch hergestellten Schichten können Stickstoff his zu 5% （x=0.05）焓。Stickstoffeinbau fhrt ziner starken redudution der fundamentalen bandlcke, derdersche derzeit intensiv diskutiert wind。“Die microskopische defktstruckur des Stickstoffs”，即“Die Wechselwirkung mit铟”。在德国，Vorhaben风力机ftir -吸收光谱分析和定位分析，Schwingungen des Stickstoffs ausgenutzt werden, um Strukturinformationen，她的stickstofhaltige复合物在den genannten Legierungen zu gewinnen。大足solsolen durch gezielte植入实验N， B和In的组合mit dem Ausheilverfahren durch Blitzlampen spezifische defkte erzeugt werden。基元分析：基于Kenntnis的理论，基于Schwingungen的理论，基于Schwingungen的理论，基于bolwerden的理论，基于schwinungen的理论，基于schwinungen的理论，基于schwinungen的理论，基于schwinungen的理论，基于schwinungen的理论，基于schwinungen的理论，基于schwinungen的理论。在InGaAs-Schichten N-In-Komplexe erzeugt werden， um die n- in - wehselwirkung zu analysien和Aussagen zum microskopischen Einbauverhalten des Stickstoffs quaternären System treffen zu können。

Die ternären und quaternären Legierungen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx haben in jüngster Zeit international große Beachtung gefunden als Ausgangsmaterial für Halbleiterlaser im Wellenlängenbereich von 1.3 bis 1.55 µm und für hocheffiziente Solarzellen. Die epitaktisch hergestellten Schichten können Stickstoff bis zu 5% (x=0.05) enthalten. Stickstoffeinbau führt zu einer starken Reduktion der fundamentalen Bandlücke, deren Ursache derzeit intensiv diskutiert wird. Die mikroskopische Defektstruktur des Stickstoffs, insbesondere die Wechselwirkung mit Indium, ist unklar. In diesem Vorhaben wird die FTIR-Absorptionsspektroskopie an lokalisierten Schwingungen des Stickstoffs ausgenutzt werden, um Strukturinformationen über stickstoffhaltige Komplexe in den genannten Legierungen zu gewinnen. Dazu sollen durch gezielte Implantationsexperimente mit N, B und In in Kombination mit dem Ausheilverfahren durch Blitzlampen spezifische Defekte erzeugt werden. Basierend auf der Kenntnis der isolierten Schwingungen von Stickstoff und Bor werden im ersten Schritt N-B-Wechselwirkungen untersucht werden, um zu einem Modell des Einflusses der Substitution der GaMatrixatome durch massenverschiedene Elemente auf die Schwingung des Stickstoffs zu gelangen. Im zweiten Schritt sollen dann durch Koimplantation von Stickstoff und Indium sowie durch Implantation von Stickstoff in InGaAs-Schichten N-In-Komplexe erzeugt werden, um die N-In-Wechselwirkung zu analysieren und Aussagen zum mikroskopischen Einbauverhalten des Stickstoffs im quaternären System treffen zu können.