Spektroskopische Untersuchung zum Einbauverhalten des Stickstoffs in den ternären und quaternären Legierungssystemen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx

三种和四种传统的GaAs 1-xNx和InyGa 1-yAs 1-xNx已在国际上获得广泛的应用，这些材料用于1.3至1.55 μm的健康领域的半导体激光器和高效率的太阳能电池。该epitaktisch hergestellten Schichten können Stickstoff bis zu 5%（x=0.05）slighten. Stickstoffeinbau führt zu einer starken Reduktion der fundamentalen Bandlücke，deren Ursache derzeit intensiv diskutiert wird.粘纸的微结构，包括含铟的纤维束，是不清楚的。在这种情况下，FTIR吸收光谱将被用于韦尔登的局部剪切，结构信息将被用于纤维的复合材料中。这是通过N、B和In组合的多次植入实验解决的问题，这些植入实验是通过特殊的闪电战来进行的，它会导致韦尔登。根据第一次Schritt N-B-Wechself-kungen试验中Stickstoff和Bor的等效应力，建立了一个GaMatrixatome的替代影响模型，该模型通过大量的元素对Stickstoff的应力进行了分析。在InGaAs-Schichten N-In-Complexe韦尔登中，通过Stickstoff和In的注入，可以获得两种不同的Schritt，并对N-In-Wechselenchung进行了分析，并在四元系统中对Stickstoff进行了微结构分析。

Die ternären und quaternären Legierungen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx haben in jüngster Zeit international große Beachtung gefunden als Ausgangsmaterial für Halbleiterlaser im Wellenlängenbereich von 1.3 bis 1.55 µm und für hocheffiziente Solarzellen. Die epitaktisch hergestellten Schichten können Stickstoff bis zu 5% (x=0.05) enthalten. Stickstoffeinbau führt zu einer starken Reduktion der fundamentalen Bandlücke, deren Ursache derzeit intensiv diskutiert wird. Die mikroskopische Defektstruktur des Stickstoffs, insbesondere die Wechselwirkung mit Indium, ist unklar. In diesem Vorhaben wird die FTIR-Absorptionsspektroskopie an lokalisierten Schwingungen des Stickstoffs ausgenutzt werden, um Strukturinformationen über stickstoffhaltige Komplexe in den genannten Legierungen zu gewinnen. Dazu sollen durch gezielte Implantationsexperimente mit N, B und In in Kombination mit dem Ausheilverfahren durch Blitzlampen spezifische Defekte erzeugt werden. Basierend auf der Kenntnis der isolierten Schwingungen von Stickstoff und Bor werden im ersten Schritt N-B-Wechselwirkungen untersucht werden, um zu einem Modell des Einflusses der Substitution der GaMatrixatome durch massenverschiedene Elemente auf die Schwingung des Stickstoffs zu gelangen. Im zweiten Schritt sollen dann durch Koimplantation von Stickstoff und Indium sowie durch Implantation von Stickstoff in InGaAs-Schichten N-In-Komplexe erzeugt werden, um die N-In-Wechselwirkung zu analysieren und Aussagen zum mikroskopischen Einbauverhalten des Stickstoffs im quaternären System treffen zu können.