Measurement and control of charge transfer between organic ultrathin layers and substrates by means of in-situ real-time spectroscopy

通过原位实时光谱测量和控制有机超薄层和基底之间的电荷转移

• 批准号: 21360020
• 负责人: TANAKA Masatoshi
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: Yokohama National University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360020/
• 关键词: 表面・界面物性; 光物性; 超薄膜; マイクロ・ナノデバイス; 超分子化学

Physical properties of chemically modified silicon surfaces and the orientations ofα-sexithiophene molecules in the ultrathin overlayers were investigated by means of in-situ real-time surface reflectance spectroscopy and photoelectron spectroscopy. The relationship between the orientation and the charge transfer between molecules and substrates has been clarified. The charge transfer remarkably depends on the surface modification, which means the orientation of molecules can be controlled by the modification and substrate temperature.

利用实时表面反射光谱和光电子能谱研究了化学修饰硅表面的物理性质和α-六噻吩分子在硅表面的取向。阐明了取向与分子与基底间电荷转移的关系。电荷的转移与表面改性密切相关，即分子的取向可以通过改性和衬底温度来控制。

项目成果

Si高指数面熱酸化過程における温度依存性の解析

硅高指数表面热氧化过程的温度依赖性分析

• 发表时间: 2012
• 作者: 安部壮祐;大野真也;兼村瑠威;吉越章隆;寺岡有殿;尾形祥一;安田哲二;田中正俊
• 通讯作者: 田中正俊

Real-time measurement of hydrogen adsorption process on Si(113) by means of reflectance difference spectroscopy

反射差光谱法实时测量Si(113)上氢的吸附过程

• 发表时间: 2011
• 作者: S.Abe;S.Ohno;T.Suzuki;M.Tanaka
• 通讯作者: M.Tanaka

オリゴチオフェン超薄膜成長過程とSi表面終端構造との相関

低聚噻吩超薄膜生长工艺与Si表面终止结构的相关性

• 发表时间: 2010
• 作者: 豊島弘明;新江定憲;大野真也;横山崇;鈴木隆則;田中正俊
• 通讯作者: 田中正俊

Charge separation dynamics at molecular heterojunction of C60 and zinc phthalocyanine

• DOI: 10.1063/1.3291558
• 发表时间: 2010-01
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Yasunobu Kodama;K. Ohno

表面修飾Si(001)表面上のα-sexthiophene分子の構造と電子状態の解析

表面改性Si(001)表面α-六噻吩分子的结构和电子态分析

• 发表时间: 2011
• 作者: 豊島弘明;井上慧;向井孝三;吉信淳;大野真也;横山崇;田中正俊
• 通讯作者: 田中正俊