Direct thermal-to-electric energy conversion material of environmentally-benign Mg_2Si synthesized using wasted Si sludge
利用废弃硅污泥合成环保型Mg_2Si直接热电转换材料
基本信息
- 批准号:21360136
- 负责人:
- 金额:$ 11.07万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Thermoelectric power generation is expected to be one of the effective technologies that will help reduce global warming by directly converting energy from waste heat or solar heat to electricity. Magnesium-Silicide(Mg_2Si) has the potential to be an effective thermoelectric material with operating temperatures ranging from 500 K to 900 K. Here we have tried to introduce reusing of industrial waste of Si sludge as a source material for Mg_2Si, because the current product inversion rate of Si for semiconductor LSI devices remains at 25 to 30%, while most of the remainder is disposed of as a waste ; this is mainly discharged as sludge from grinding and polishing processes.
热电发电被认为是通过将废热或太阳能直接转化为电能来帮助减少全球变暖的有效技术之一。硅化镁(Mg_2Si)是一种工作温度在500 ~ 900 K的高效热电材料。在这里,我们试图介绍作为Mg_2Si源材料的硅污泥的工业废物的再利用,因为目前半导体LSI器件的硅的产品转化率保持在25 - 30%,而大部分剩余物作为废物处理,这主要是作为研磨和抛光过程中的污泥排放。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Thermoelectric behavior of Sb- and Al-doped n-type Mg2Si devices under large temperature differences
大温差下 Sb 和 Al 掺杂 n 型 Mg2Si 器件的热电行为
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:2.1
- 作者:T.Sakamoto;T.Iida;et al
- 通讯作者:et al
Encouraging thermoelectric properties and durability of residual metal-Mg free Mg_2Si prepared by an all molten process
全熔融工艺制备的无残留金属Mg_2Si的热电性能和耐久性
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hirotaka;Takeuchi;T.Iida
- 通讯作者:T.Iida
Development of a Thermal Buffering Device to Cope with Temperature Fluctuations for a Thermoelectric Power Generator
- DOI:10.1007/s11664-012-1911-2
- 发表时间:2012-02
- 期刊:
- 影响因子:2.1
- 作者:K. Mizuno;Kazunori Sawada;T. Nemoto;T. Iida
- 通讯作者:K. Mizuno;Kazunori Sawada;T. Nemoto;T. Iida
Output power characteristics of Mg_2Si and the fabrication of a Mg_2Si TE module with a uni-leg structure
Mg_2Si的输出功率特性及单腿结构Mg_2Si TE模块的制作
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Nemoto;T.Iida;et al
- 通讯作者:et al
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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