Development of dislocation nano-wires in SrTiO_3

SrTiO_3位错纳米线的研制

• 批准号: 21360306
• 负责人: YAMAMOTO Takahisa
• 金额: $ 10.32万
• 依托单位: Nagoya University (2011)The University of Tokyo (2009-2010)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360306/
• 关键词: チタン酸ストロンチウム; 転位; 細線; ドーパント; 原子構造; 電子状態; 粒界; 高分解能像; 小傾角粒界; 陽イオン不定比; 粒界構造ユニット; PLD; ナノワイヤー; 走査透過型電子顕微鏡; 二重ショットキー障壁; ナノ材料

Dislocations are a kind of one dimensional lattice defects. In the several nm area around the dislocation, there exits stress due to the lattice defects. At the area, diffusivity is kwon to increase due to such stress induced by the lattice defects, which is called pipe-diffusion. By using the phenomena, we can fabricate nano-wires around the dislocation core inside a bulk. In this study, we tried to fabricate the dislocation nano-wires in SrTiO3, and AlN and so on.

位错是一维晶格缺陷的一种。在位错周围的几个纳米区域，存在晶格缺陷引起的应力。在该区域，由于晶格缺陷引起的应力，扩散系数增大，这被称为管状扩散。利用这一现象，我们可以在块体内部的位错核周围制备纳米线。在本研究中，我们尝试在钛酸锶、氮化铝等材料中制备位错纳米线。

项目成果

Electrical current flow at conductive nanowires formed in GaN thin films by a dislocation template technique

通过位错模板技术在 GaN 薄膜中形成的导电纳米线的电流流动

• 发表时间: 2011
• 期刊: APPLIED PHISICS LETTER (印刷中(掲載確定))
• 作者: C. L. Chen;H. Furusho;and H. Mori;喜多内美江;Shinichi Amma
• 通讯作者: Shinichi Amma

Characterization and atomic modeling of an asymmetric grain boundary

• DOI: 10.1103/physrevb.84.195319
• 发表时间: 2011-11-23
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Lee, Hak-Sung;Mizoguchi, Teruyasu;Ikuhara, Yuichi
• 通讯作者: Ikuhara, Yuichi

構造・機能セラミックスの粒界計測と組織制御に関する研究

结构与功能陶瓷晶界测量与微观结构控制研究

• 发表时间: 2010
• 作者: C.L.Chen;H.Furusho;H.Mori;SHIBUYA Shizuaki;H.Usui;山本剛久
• 通讯作者: 山本剛久

First Principles Study on Intrinsic Vacancies in Cubic and Orthorhombic CaTiO3

• DOI: 10.2320/matertrans.mc200813
• 发表时间: 2009-05
• 期刊: Materials Transactions
• 影响因子: 1.2
• 作者: Hak-Sung Lee;T. Mizoguchi;Takahisa Yamamoto;Y. Ikuhara

Atomic structure of threading dislocations in AIN thin films

AIN 薄膜中螺纹位错的原子结构

• 发表时间: 2009
• 期刊: PHYSICA B-CONDENSED MATTER 404
• 作者: C. L. Chen;J.-G. Lee;K. Arakawa;and H. Mori;Yuki Tokumoto
• 通讯作者: Yuki Tokumoto