Study on advanced hydrogen sensors based on field effect transistor structure

基于场效应晶体管结构的先进氢传感器研究

• 批准号: 21760052
• 负责人: NAKAMURA Seiji
• 金额: $ 2.16万
• 依托单位: Tokyo Metropolitan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760052/
• 关键词: センサー; 水素; 先端機能デバイス; 表面・界面物性

In this study, the hydrogen sensing properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Pd gate electrodes are demonstrated for sub-ppm-order to 10% detection in air. The Kelvin-probe characterization was also performed in order to clarify the detection mechanism of hydrogen for Pd/III-nitrides structures. We have investigated that the temperature sweep operation of the Pd/AlGaN/GaN HEMT-based gas sensors is very useful technique for the selective gas detection for hydrogen and hydrocarbons.

在这项研究中，展示了具有 Pd 栅电极的 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的氢传感特性，可在空气中进行亚 ppm 量级至 10% 的检测。还进行了开尔文探针表征，以阐明 Pd/III 氮化物结构的氢检测机制。我们研究发现，基于 Pd/AlGaN/GaN HEMT 的气体传感器的温度扫描操作对于氢气和碳氢化合物的选择性气体检测是非常有用的技术。

项目成果

高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価

高温工作Pd/AlGaN/GaN结构氢气传感器检测特性评估

• 发表时间: 2009
• 作者: S.Nakamura;T.Ohsono;N.Takahashi;T.Okumura;中村成志,大園智章,高橋紀行,奥村次徳
• 通讯作者: 中村成志,大園智章,高橋紀行,奥村次徳

Pd/AlGaN/GaNガスセンサの検知特性の温度依存性

Pd/AlGaN/GaN 气体传感器检测特性的温度依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: S.Nakamura;N.Takahashi;T.Okumura;吉田朗子,中村成志,奥村次徳;渡辺晶史,中村成志,奥村次徳
• 通讯作者: 渡辺晶史,中村成志,奥村次徳

Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム

Pd/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管型氢气传感器响应机理

• 发表时间: 2011
• 作者: S.Nakamura;N.Takahashi;T.Okumura;吉田朗子,中村成志,奥村次徳;渡辺晶史,中村成志,奥村次徳;瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
• 通讯作者: 瀧本拓真,中村成志,奥村次徳

Kelvin-probe characterization of hydrogen-sensitive palladium/nitride semiconductors contacts

氢敏钯/氮化物半导体触点的开尔文探针表征

• 发表时间: 2009
• 作者: S. Nakamura;T. Ohsono;N. Takahashi;T. Okumura
• 通讯作者: T. Okumura

Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討

氮化钯半导体接触氢气传感器检测机理研究

• 发表时间: 2009
• 作者: S.Nakamura;T.Ohsono;N.Takahashi;T.Okumura;中村成志,大園智章,高橋紀行,奥村次徳;大園智章,中村成志,高橋紀行,奥村次徳
• 通讯作者: 大園智章,中村成志,高橋紀行,奥村次徳