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Generation and migration of plasma-induced defects in III-nitride semiconductors

Generation and migration of plasma-induced defects in III-nitride semiconductors
III族氮化物半导体中等离子体诱导缺陷的产生和迁移
批准号：
26390056
负责人：
NAKAMURA Seiji
金额：
$3.0万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26390056/
关键词：
プラズマ照射誘起欠陥III族窒化物半導体バイアスアニールプラズマダメージⅢ族窒化物半導体

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プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討
等离子体辐照失活的n型GaN中施主再激活机制的研究
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [M.OMPRAKASH, V. NIRMAL KUMAR, M.ARIVANANDHAN, T.KOYAMA, Y.MOMOSE, H.IKEDA, H.TATSUOKA, Y.OKANO, T.OZAWA, Y.INATOMI, S.MOORTHY BABU and Y.HAYAKAWA, 横山大樹，中村成志，奥村次徳]
通讯作者： 横山大樹，中村成志，奥村次徳
Saliva as a potential tool for diagnosis of dry mouth including Sjogren's syndrome
  • 批准号：
    23659949
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.33万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    NAKAMURA Seiji
  • 依托单位：
    Kyushu University
Study on advanced hydrogen sensors based on field effect transistor structure
  • 批准号：
    21760052
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.16万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    NAKAMURA Seiji
  • 依托单位：
    Tokyo Metropolitan University
Development of early-diagnosis and made-to-order immunotherapy fororal cancers by using cancer-specific peptides
  • 批准号：
    20390518
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $9.82万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    NAKAMURA Seiji
  • 依托单位：
    Kyushu University
Analysis of pathogenesis and establishment of novel diagnostic strategy of oral mucosal diseases by T cell receptor-based analysis
  • 批准号：
    15390618
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $9.28万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    NAKAMURA Seiji
  • 依托单位：
    Kyushu University
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