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Generation and migration of plasma-induced defects in III-nitride semiconductors
III族氮化物半导体中等离子体诱导缺陷的产生和迁移
基本信息
- 批准号：26390056
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（1）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討
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- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.OMPRAKASH;V. NIRMAL KUMAR;M.ARIVANANDHAN;T.KOYAMA;Y.MOMOSE;H.IKEDA;H.TATSUOKA;Y.OKANO;T.OZAWA;Y.INATOMI;S.MOORTHY BABU and Y.HAYAKAWA;横山大樹，中村成志，奥村次徳
- 通讯作者：横山大樹，中村成志，奥村次徳
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- 作者：
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Water Sources of Lake Bottom Springs in Lake Kawaguchi, Northern Foot of Mount Fuji, Japan
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2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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UCHIYAMA Takashi
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Identification of oral squamous cell carcinoma-associated antigens recognized by T cells
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- 批准号：
19032001 - 财政年份：2007
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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- 批准号：
06F06385 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
06J51092 - 财政年份：2006
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$ 3万 - 项目类别：
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- 批准号：
16760251 - 财政年份：2004
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