Formation of high-quality poly-Si films by rapid crystallization of sputtered a-Si films

通过溅射非晶硅薄膜的快速结晶形成高质量多晶硅薄膜

• 批准号: 21760580
• 负责人: OHDAIRA Keisuke
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760580/
• 关键词: 熱処理; 結晶化; 多結晶シリコン; 太陽電池; フラッシュランプアニール; スパッタリング; 簿膜

I have established the method of forming polycrystalline silicon (poly-Si) films without serious thermal damage onto glass substrates by crystallizing precursor amorphous Si (a-Si) films formed by sputtering, safer than chemical vapor deposition (CVD). I have clarified that sputtered a-Si films can be crystallized without Cr adhesion films and show a crystallization mechanism similar to that shown in CVD a-Si films.

我已经建立了在玻璃衬底上形成多晶硅（poly-Si）膜的方法，该方法通过使由溅射形成的前体非晶Si（a-Si）膜结晶而没有严重的热损伤，比化学气相沉积（CVD）更安全。我已经澄清，溅射的a-Si膜可以结晶没有Cr粘附膜，并显示出类似于CVD a-Si膜中所示的结晶机制。

项目成果

フラッシュランプアニールによる非晶質シリコン膜の結晶化とその太陽電池応用

闪光灯退火非晶硅薄膜晶化及其太阳能电池应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 大平圭介;松村英樹
• 通讯作者: 松村英樹

Lateral Crystallization of Amorphous Silicon films Induced by Flash Lamp Annealing

闪光灯退火诱导非晶硅薄膜的横向结晶

• 发表时间: 2011
• 期刊: Proceedings of the 7th Thin-Films Materials and Devices Meeting
• 作者: Keisuke Ohdaira;Shohei Ishii;Naohito Tomura;Hideki Matsumura
• 通讯作者: Hideki Matsumura

フラッシュランプアニールによるa-Si膜の横方向結晶化

闪光灯退火非晶硅薄膜的横向结晶

• 发表时间: 2010
• 作者: 大平圭介;石井翔平;渡村尚仁;松村英樹
• 通讯作者: 松村英樹

ホームページ等。

主页等

Polycrystalline Silicon Films with Nanometer-Sized Dense Fine Grains Formed by Flash-Lamp-Induced Crystallization

闪光灯诱导结晶形成的具有纳米级致密细晶粒的多晶硅薄膜

• 发表时间: 2011
• 期刊: Journal of Nanoscience and Nanotechnology
• 作者: Keisuke Ohdaira;Shohei Ishii;Naohito Tomura;Hideki Matsumura
• 通讯作者: Hideki Matsumura