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Formation of high-quality poly-Si films by rapid crystallization of sputtered a-Si films

Formation of high-quality poly-Si films by rapid crystallization of sputtered a-Si films
通过溅射非晶硅薄膜的快速结晶形成高质量多晶硅薄膜
批准号：
21760580
负责人：
OHDAIRA Keisuke
金额：
$2.91万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760580/
关键词：
熱処理結晶化多結晶シリコン太陽電池フラッシュランプアニールスパッタリング簿膜

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I have established the method of forming polycrystalline silicon (poly-Si) films without serious thermal damage onto glass substrates by crystallizing precursor amorphous Si (a-Si) films formed by sputtering, safer than chemical vapor deposition (CVD). I have clarified that sputtered a-Si films can be crystallized without Cr adhesion films and show a crystallization mechanism similar to that shown in CVD a-Si films.
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会议论文
フラッシュランプアニールによる非晶質シリコン膜の結晶化とその太陽電池応用
闪光灯退火非晶硅薄膜晶化及其太阳能电池应用
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [大平圭介, 松村英樹]
通讯作者： 松村英樹
Lateral Crystallization of Amorphous Silicon films Induced by Flash Lamp Annealing
闪光灯退火诱导非晶硅薄膜的横向结晶
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： Proceedings of the 7th Thin-Films Materials and Devices Meeting
影响因子： --
作者： [Keisuke Ohdaira, Shohei Ishii, Naohito Tomura, Hideki Matsumura]
通讯作者： Hideki Matsumura
ホームページ等。
主页等
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
フラッシュランプアニールによるa-Si膜の横方向結晶化
闪光灯退火非晶硅薄膜的横向结晶
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [大平圭介, 石井翔平, 渡村尚仁, 松村英樹]
通讯作者： 松村英樹
共 6 条
    Development of the fabrication technology of next-generation polycrystalline silicon solar cells using rapid crystallization
    海外基金