Oberflächenstruktur von ausgewählten III-V-Halbleitern unter epitaxienahen Bedingungen

接近外延条件下所选 III-V 族半导体的表面结构

• 批准号: 5387564
• 负责人: Professor Dr. Norbert Esser
• 金额: --
• 依托单位: Standort Berlin
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5387564?language=en
• 关键词: Oberfl; chenstruktur; von; ausgew; hlten

Ziel des Antrages ist es, die atomaren Strukturen von III-VHalbleiteroberflächen unter epitaxienahen Bedingungen (MBE, MOVPE) aufzuklären. Besonders über die Struktur der Oberflächen in der Gasphasenepitaxie und die Rolle von Adsorbaten (H, CH3, CH2, ...) bei der Strukturbildung ist wenig bekannt. Die Strukturinformation ist jedoch eine entscheidende Voraussetzung für das mikroskopische Verständnis des Epitaxieprozesses. Experimentellen Zugang zu den Oberflächenstrukturen unter epitaxienahen Bedingungen soll eine spezielle transportable Kammer bieten, die sowohl gestattet, Oberflächen in Wechselwirkung mit den epitaxierelevanten Molekülsorten (TMGa(In), As(P)(N)H3, H2, elementare Molekularstrahlen) zu präparieren und in situ elektronenspektroskopisch und optisch zu analysieren, als auch an externe Meßapparaturen für Oberflächenuntersuchungen (z.B. XPS bei BESSY, STM) anzudocken. Als Oberflächen sind drei exemplarische III-V-Materialien (GaN, InP, GaAs) mit variierender Differenz der Radien und Elektronegativitäten der beteiligten Atome vorgesehen. Diese Auswahl sollte Aufschluß geben, welche offensichtlich anderen physikalischen Prinzipien die Rekonstruktionen der Oberflächen bei den Nitriden und Phosphiden im Vergleich zu den bereits relativ gut bekannten Arseniden bestimmen. Ziel des Projektes ist es auch, Input für ab initio Rechnungen der Gasphasenepitaxie zu geben, wie sie bereits heute auf Grund der vorhandenen strukturellen Information für die Molekularstrahlepitaxie von GaAs durchgeführt werden.

Ziel des Antrages is es，die atomaren Strukturen von III-V Halbleiteroberflächen unter epitaxienahen Bedingungen（MBE，MOVPE）aufzuklären. Besonders über die Struktur der Oberflächen in der Gasphasenepitaxie und die Rolle von Adsorbaten（H，CH 3，CH 2，.）在结构性教育方面是可以的。Die Strukturinformation ist jedoch eine entscheidende Voraussetzung für das mikroskopische Verständnis des Epitaxieprozesses.在外延层上的上表面结构实验中，采用外延层相关分子（TMGa（In），As（P）（N）H3，H2，分子辐射元素）进行预处理和原位电子光谱和光学分析，也可采用外部测量装置（z.B. XPS bei BESSY，STM）分析。Als Oberflächen sind drei exemplarische III-V-Materialien（GaN，InP，GaAs）mit variierender Differenz der Radien und Elektronegativitäten der beteiligten Atome vorgesehen.这一次的爆炸，由于其相对危险性，使得对氮化和磷化物的表面反射的物理原理和攻击性变得更好。Ziel des Projektes ist es auch，Input für ab initio Rechnungen der Gasphasenepitaxie zu geben，wie sie bereits heute auf Grund der vorhandenen strukturellen Information für die Molekularstrahlepitaxie von GaAs durchgeführt韦尔登.