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ソフト化学的手法を用いた新奇物質の探索

使用软化学方法寻找新物质

基本信息

批准号：
10J00374
负责人：
北田敦
金额：
$ 0.9万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

申請者はソフト化学的手法という固体物理の分野ではなじみのない合成法を取り入れ、数々の新物質を合成し、その新奇な物性を次々と発見した。ソフト化学的手法の特徴であるトポタクティック反応により、母物質の結晶構造を反映した物質設計が可能である。このソフト化学的手法のひとつである低温固相イオン交換法により合成した正方格子二次元スピン系においては、量子効果の強い銅の系について従来の類似物質よりも二次元性を著しく向上させた物質を新たに合成し、2Kの極低温まで磁気秩序がないことを確認した。またスピン量子数依存性について調べる目的で、磁性イオンをマンガン、コバルト、およびクロムに変えた系の合成にも成功し、マンガン、コバルトの系でストライプ型の磁気秩序を見出した。そしてクロムの系では一連の系で初となるG型磁気秩序を明らかにした。このG型秩序の確認は我々の予想を裏切った、興味深い成果である。上記の固相イオン交換反応に限らず、低温でも強力な還元力を発揮する金属水素化物を用いた低温固相還元反応による電子伝導体の開発にも取り組んだ。透明伝導体として注目される還元アナターゼTiO2-δ薄膜にこの手法を適用し、その酸素量を幅広く、またその電子物性を系統的に制御することに成功した。そして、従来よりも1桁低い10-3Ωcmの室温抵抗率を、金属状態及び半導体状態の両方で達成した。また、その2Kにおける磁気抵抗の符号が組成に従って正から負、そして再び正に変化するという興味深い物性を観測した。

The applicant is interested in the discovery of new substances and novel properties by means of chemical methods and synthesis methods in solid state physics The characteristics of the chemical process are reflected in the crystal structure of the parent substance. The method of chemical synthesis of this kind of compound is called low temperature solid phase exchange method. The method of synthesis is called square lattice quadratic system. The quantum effect is called strong copper system. The method of synthesis is called high temperature solid phase exchange method. The method of The quantum number dependence of the magnetic field on the magnetic field is determined by the magnetic field. The first part of the system is the G-type magnetic field. The G-type order is confirmed and the interest is deep. The above mentioned solid phase exchange reaction limit, low temperature, strong reduction element force development, metal hydrate application, low temperature solid phase reduction reaction, electron conductor development and composition The method for preparing transparent TiO2-δ thin films was successfully applied to the preparation of transparent TiO2-δ thin films. The room temperature resistivity of 10-3Ωcm is achieved in the metallic state and in the semiconductor state. The symbol of magnetic resistance at 2K is composed of positive, negative, positive and negative elements.