高配向性を持つ高分子FETの開発と電子スピン共鳴法を用いたデバイス界面評価
高取向聚合物FET的开发和电子自旋共振法器件界面评估
基本信息
- 批准号:10J07987
- 负责人:
- 金额:$ 0.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
π共役高分子は、電子・光機能性を有し、溶液プロセスを用いたフレキシブルデバイスへの応用研究が期待されている。その中でも高移動度を有するπ共役有機半導体は、有機電界効果トランジスタ(FET)の基礎材料として研究が行われている。特に、有機デバイスの特性改善のためには、高分子の分子配向性の制御及び、評価手法の開発が急務の課題である。これまでに我々は、デバイス界面のみに蓄積されるキャリアをスピンをプローブとして、観測可能な電場誘起ESR法を開発してきた。この電場誘起ESR信号はπ電子の異方性を反映することから、デバイス界面のミクロな分子配向性を精密に評価することが可能である。今回、液晶混合展開法を用いた高配向性を有するデバイスの作製を名古屋大学の永野らと共同で研究を行った結果、従来不可能であった高分子鎖の面内配向が制御可能となり、これをモデルケースとすることで、電場誘起ESR法を用いた精密な分子配向評価手法の開発に成功した。この手法を基にしたESRスペクトルシミュレーションはより高い移動度をもつ有機低分子材料にも応用され、界面における特異な界面分子配向の存在を実験的に明らかにした。また、この一軸配向制御された高分子超薄膜デバイスの異方的伝導度の測定も行い、π軌道のoverlapにより二次元的な電気伝導性が形成されることが確認された。これらの成果は、Physical Review B誌及びApplied Physics Express誌に掲載され、今後の新規な有機材料の合成や配向制御手法の発展に大きく寄与することが期待されている。
In the study of π-co-service polymers, electronic optoelectronic mechanisms, and solution thermal systems, they are expected to be used in the study of the use of π-co-serviced polymers, electrons, and solutions. In the field of high mobility, there are co-service semi-mechanical equipment, and the mechanical and electrical industry is responsible for the research and development of basic materials in the field of FET. Special, opportunity to improve the characteristics of the drug, the control of the molecular orientation of polymers, and the use of methods to carry out the management of urgent problems. We may start to use the ESR method to open the market, and the interface may be open to the public. The characteristics of the ESR signal π electrons are reflected in the interface of the electronic field. The molecular orientation is closely related to that of the interface. This time, the liquid crystal hybrid development method is based on the high-performance liquid crystal hybrid development method. Nagoya University, Nagoya University, Nagano University, Nagoya University The basic method is that the ESR device is used to detect the high mobility of organic low molecular materials, and that the interface molecules are used for the purpose of directing the molecules of the interface to those where there is a device. It is necessary to control the temperature measurement of the polymer ultrathin film and the electronic property of the second dimension of the overlap ultrathin film. The results of the research, the Physical Review B and the Applied Physics Express equipment, the synthesis of organic materials for the future, and the development of the control technology exhibition will be sent to the market to meet the expectations.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Charge Transport Anisotropy due to Interfacial Molecular Orientation in Polymeric Transistors with Controlled In-Plane Chain Orientation
- DOI:10.1143/apex.5.021602
- 发表时间:2012-02
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:S. Watanabe;Hisaaki Tanaka;S. Kuroda;A. Toda;Haruki Tomikawa;Shusaku Nagano;T. Seki
- 通讯作者:S. Watanabe;Hisaaki Tanaka;S. Kuroda;A. Toda;Haruki Tomikawa;Shusaku Nagano;T. Seki
Quadrimolecular Recombination of Persistent Photocarriers in Surface-Typer Photocells of Regioregular Poly(3-hexylthiophene)/Methan ofullenere
区域规则聚(3-己基噻吩)/富勒烯表面型光电池中持久光载流子的四分子重组
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:伊東裕;西川裕貴;鈴木淳也;鈴木章充;渡辺峻一郎;田中久暁;黒田新一
- 通讯作者:黒田新一
電場誘起ESRによる高分子超薄膜トランジスタの界面分子配向評価
使用电场诱导 ESR 评估超薄聚合物晶体管的界面分子取向
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:伊東裕;西川裕貴;鈴木淳也;鈴木章充;渡辺峻一郎;田中久暁;黒田新一;渡辺峻一郎;渡辺峻一郎;渡辺峻一郎
- 通讯作者:渡辺峻一郎
Observation of field-induced charge carriers in high-mobility organic transistors of a thienothiophene-based small molecule: Electron spin resonance measurements
噻吩并噻吩基小分子高迁移率有机晶体管中场感应载流子的观察:电子自旋共振测量
- DOI:10.1103/physrevb.84.081306
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Tanaka;M. Kozuka;S. Watanabe;H. Ito;Y. Shimoi;K. Takimiya;S. Kuroda
- 通讯作者:S. Kuroda
Direct Determination of the In-Plane Chain Orientation in Charge Accumulation Layer of Regioregular Poly(3-hexylthiophene) Monolayer Transistors by Electron Spin Resonance
电子自旋共振直接测定区域规则聚(3-己基噻吩)单层晶体管电荷积累层的面内链取向
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:伊東裕;西川裕貴;鈴木淳也;鈴木章充;渡辺峻一郎;田中久暁;黒田新一;渡辺峻一郎;渡辺峻一郎;渡辺峻一郎;渡辺峻一郎
- 通讯作者:渡辺峻一郎
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
渡辺 峻一郎其他文献
渡辺 峻一郎的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
有機金属構造体を賦与した有機電界効果トランジスタ型ガスセンサの開発
具有有机金属结构的有机场效应晶体管型气体传感器的研制
- 批准号:
23KJ0785 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
含硫黄縮合多環化合物の効率的合成および有機電界効果トランジスタへの応用
含硫稠合多环化合物的高效合成及其在有机场效应晶体管中的应用
- 批准号:
15J07968 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機電界効果トランジスタにおけるトラップ制御技術の開発
有机场效应晶体管陷阱控制技术的进展
- 批准号:
10J04143 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高性能な有機電界効果トランジスタ特性を発現する新規有機半導体材料の開発
开发具有高性能有机场效应晶体管特性的新型有机半导体材料
- 批准号:
09J55192 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
応力印加後の有機電界効果トランジスタ特性に関する研究
有机场效应晶体管受应力后特性研究
- 批准号:
21850031 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
強誘電体絶縁層を有する有機電界効果トランジスタの開発と強誘電体メモリーへの応用
铁电绝缘层有机场效应晶体管的研制及其在铁电存储器中的应用
- 批准号:
07J11584 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
振動分光法を用いたn型有機電界効果トランジスタに対する大気の影響の解明
使用振动光谱法阐明大气对 n 型有机场效应晶体管的影响
- 批准号:
18750170 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
有機電界効果トランジスタのn型特性出現機構の解明とその高性能化に関する研究
阐明有机场效应晶体管出现n型特性的机理并提高其性能的研究
- 批准号:
17750182 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
有機電界効果トランジスタの特性向上を目指した有機薄膜の構造制御
有机薄膜的结构控制旨在改善有机场效应晶体管的特性
- 批准号:
03J50441 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 0.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows