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革新的半導体低温プロセス:液中プラズマアシスト電気化学成長プロセスの開発

创新半导体低温工艺：开发浸没等离子体辅助电化学生长工艺

基本信息

批准号：
21656086
负责人：
藤村紀文
金额：
$ 2.11万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21656086/
关键词：
半導体低温プロセス液中プラズマ電気化学成長 ZnO

项目摘要

「電気化学的ZnO薄膜成長技術」と「液中窒素プラズマ」を組み合わせた革新的半導体低温プロセスを構築することを目的とした研究を行った。大気圧非平衡窒素プラズマに関して、これまで、平行平板電極を用いて検討してきた。【液中大気圧窒素プラズマに向けたプラズマ源の開発】液中プラズマの実験を容易にするためにガン型プラズマ源を新たに開発した。このガン型プラズマ源は、10-700 Torrの圧力範囲内で安定に放電し、窒化反応に寄与している窒素の分子状活性種であるN_2 2^nd positive systemが平行平板放電と同じ電力で得られることを確認した。また、放電領域の指向性が高く電極部から3cm離れた位置での発光強度は、平行平板型プラズマ源と比較して3倍大きいことも明らかになった。このように、本プラズマ源は液中大気圧窒素プラズマ源に適していることが明らかになった。【液中大気圧窒素プラズマの放電とプラズマ解析】誘電体バリア放電を利用しているため、液中に金属電極表面が曝されておらず、液中放電は可能であった。また、願を水中に入れなくても放電空間が純水中に広がることも明らかになった。【電気化学的ZnOの成長】1. 電気化学的ZnO成長パラメーターの制御微細電極上での電気化学ZnO成長過程が、大きな電極を用いた場合と異なることがわかった。また、電極を用いずにZnOを成長させることが可能であることもわかり、様々な基板上にZnOが成長可能であることが証明された。この様な電気化学的ZnO成長の問題点はp型ドーピングであるので窒素ドーピングに対して、液中プラズマを利用できると非常に好都合である。液中大気圧窒素プラズマ源の開発に思ったより時間を要したため、下記の2項目まで研究を進めるには至らなかった。【低温成長したZnO薄膜の構造・電気的特性とそのドーピング効果】【低温成長ZnO薄膜を用いたヘテロ接合界面の形成】

"Electrochemical ZnO film growth technology" and "liquid crystal film growth technology" High voltage unbalanced electrodes are used in parallel plate electrodes. [Development of source in liquid] Development of source in liquid The molecular active species in the form of a parallel plate were identified within the pressure range of 10-700 Torr. The directivity of the electrode part is 3 cm away, and the emission intensity is 3 times larger than that of the parallel plate type. The source of this disease is the source of the disease. [Analysis of high voltage discharge in liquid] Electrodes are used in the surface of metal electrodes in liquid, and the surface of metal electrodes in liquid may be exposed. Also, I hope that the water will be filled with pure water and the space will be filled with pure water. [Electrochemical growth of ZnO] 1. Electrochemical ZnO Growth Process on Microelectrodes Electrochemical ZnO Growth Process on Microelectrodes The growth of ZnO on the substrate is possible. The problem of ZnO growth in this kind of electrochemistry is that it is very suitable for p-type and liquid-type applications. The development of high pressure fluid is important, and the next two projects are important. [Structure and electrical characteristics of ZnO thin films grown at low temperatures][Formation of junction interfaces for ZnO thin films grown at low temperatures]