Si中でのf電子系金属の分散状態の制御とその磁性・輸送現象に及ぼす影響

Si中f电子金属弥散状态的控制及其对磁性和输运现象的影响

基本信息

  • 批准号:
    10138213
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 财政年份:
    1998
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1998 至 1999
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Si中に希薄にCe金属を固溶させてバルクサンプルを真空アーク溶解法によって、薄膜サンプルを真空蒸着法によって作成した.バルクサンプルにおいてはCeSiという反強磁性物質の微量の析出が生じていたものの、約6k近傍にキュリー点を持つ強磁性相転移が観察された.キャリア濃度が10^<18>オーダーと比較的多くのCe3+が固溶しているためRKKY的な相互作用によると予想されるが、Ce濃度を変化させても残留磁化は増加するもののキュリー点が変化せず未だ不明な点も多い.Ce濃度を大きく増加させると、CeSiに代わって非磁性で強い電子相関を有するCeSi2の析出が観察される.この試料においては輸送現象に重い電子系的な振る舞いが見られた.Siマトリックス中に多様な磁性を有するCeシリサイドを分散させることによってマトリックスの物性をコントロールできる可能性が示唆される.この試料は多結晶であるためにこのメカニズムを考察するための実験が困難であるため、薄膜試料の作成を試みた.真空蒸着法によって作成された試料では、エピタキシャル膜は得られず、強磁性相転移も観察されなかった.しかしながらフェリ磁性的な振る舞いが観察された.今後はMBEを用いてエピタキシャル膜の作成を試みる予定である.
Si に and thin に Ce metal を solid solution さ せ て バ ル ク サ ン プ ル を vacuum ア ー ク dissolved method に よ っ て, film サ ン プ ル を vacuum steaming the method に よ っ て made し た. バ ル ク サ ン プ ル に お い て は CeSi と い う against strong magnetic material の trace の precipitation が raw じ て い た も の の, about 6 k nearly alongside に キ ュ リ ー point を planning つ strong magnetic phase shift が 観 examine さ れ た. キ ャ リ ア concentration が 10 ^ < > 18 オ ー ダ ー と comparison of many く の Ce3 + が solid solution し て い る た め な of RKKY interaction に よ る と to think さ れ る を が, Ce concentration variations change さ せ て も residual magnetization は raised plus す る も の の キ ュ リ が ー point - the せ ず not unknown だ な point も い. Ce concentration を big き く add さ rights せ る と, CeSi に わ っ て non-magnetic で strong い electronic phase masato を have す る CeSi2 の precipitation が 観 examine さ れ る. こ の sample に お い て は transport phenomena に heavy い い electron department of vibration な る dance が see ら れ た. Si マ ト リ ッ ク ス に more others な magnetic を have す る Ce シ リ サ イ ド を scattered さ せ る こ と に よ っ て マ ト リ ッ ク ス の property を コ ン ト ロ ー ル で き が る possibility in stopping さ れ る. こ の sample は more crystalline で あ る た め に こ の メ カ ニ ズ ム を investigation す る た め の be 験 が difficult で あ る た め, film try material の into を み た. Vacuum steaming the method に よ っ て made さ れ た sample で は, エ ピ タ キ シ ャ ル membrane は must ら れ ず planning, strong magnetic phase shift も 観 examine さ れ な か っ た. し か し な が ら フ ェ リ magnetic vibration な る dance い が 観 examine さ れ た. In the future, the <s:1> MBEを will be made into を with the を てエピタキシャ みる membrane を to determine である.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

藤村 紀文其他文献

強誘電体/半導体ヘテロ接合における界面ポテンシャル変化による負性容量とその時間発展シミュレーション
铁电/半导体异质结界面电位变化引起的负电容及其时间演化模拟
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高田 賢志;吉村 武;藤村 紀文
  • 通讯作者:
    藤村 紀文
強相関強誘電体YMnO3薄膜の電子遷移と光誘起電流の相関
强相关铁电YMnO3薄膜中电子跃迁与光生电流的相关性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三浦 光平;田中 淳平;桐谷 乃輔;吉村 武;芦田 淳;藤村 紀文
  • 通讯作者:
    藤村 紀文
正圧電応答顕微鏡を用いたP(VDF-TrFE)膜のドメイン構造観察
正压电显微镜观察P(VDF-TrFE)薄膜的磁畴结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    金川 いづる;松下 裕司;吉村 武;藤村 紀文
  • 通讯作者:
    藤村 紀文
TiNバッファ層を用いたSi基板上へのPZT薄膜のエピタキシャル成長の検討
TiN缓冲层在Si衬底上外延生长PZT薄膜的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村瀬 幹生;岡本 直樹;吉村 武;藤村 紀文
  • 通讯作者:
    藤村 紀文
強相関強誘電体YbMnO3薄膜の成長機構と化学量論組成が誘電特性に及ぼす影響
强关联铁电YbMnO3薄膜的生长机制及化学计量对介电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 颯大;深江 圭佑;吉村 武;藤村 紀文
  • 通讯作者:
    藤村 紀文

藤村 紀文的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('藤村 紀文', 18)}}的其他基金

Establishment of evaluation methods for the physical properties of ferroelectrics using coherent state of the elementary excitation and the device applications
基元激励相干态评价铁电体物理性能方法的建立及器件应用
  • 批准号:
    19H05618
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
電子強誘電体を利用した高効率太陽電池の開発指導原理構築
建立利用电子铁电体开发高效太阳能电池的指导原则
  • 批准号:
    22656074
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
革新的半導体低温プロセス:液中プラズマアシスト電気化学成長プロセスの開発
创新半导体低温工艺:开发浸没等离子体辅助电化学生长工艺
  • 批准号:
    21656086
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
非鉛強誘電体エピタキシャル薄膜における電界誘起相転移を用いた巨大圧電応答
无铅铁电外延薄膜中利用电场诱导相变的巨压电响应
  • 批准号:
    16656098
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
超構造制御によるSi中での磁気輸送異常温度の上昇を目指した研究
研究旨在通过超结构控制提高硅中磁输运的异常温度
  • 批准号:
    13875009
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
新強誘電体薄膜の探索
寻找新型铁电薄膜
  • 批准号:
    12134206
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Si中でのf電子系金属の分散状態の制御とその磁性・輸送現象に及ぼす影響
Si中f电子金属弥散状态的控制及其对磁性和输运现象的影响
  • 批准号:
    11125212
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
弾性歪エネルギー,界面エネルギー緩和現象を利用したLiNbO_3薄膜の作製
利用弹性应变能和界面能弛豫现象制备LiNbO_3薄膜
  • 批准号:
    02855170
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似国自然基金

基于双中心及缓释催化策略构筑Cu-O-Si/MxOy-SiO2(M = Ce、Co、Fe)催化甲醛乙炔化反应机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
Cu-O-Ce/Si复合界面铜基催化剂的设计合成及其碳酸酯加氢性能研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
核工业用低温烧结助剂RE-Si-C(RE=Ce、Eu和Yb)体系相图及界面相变研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
核工业用低温烧结助剂RE-Si-C(RE=Ce、Eu和Yb)体系相图及界面相变研究
  • 批准号:
    52101026
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    24.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
(Gd,La)2Si2O7:Ce3+闪烁体的结构相变、格位占据和VUV/XEL光谱研究
  • 批准号:
    52002086
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    24.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于NCA正极MO(M=Ce, Si…)@Li2S-GeS2-P2S5 固体电解质界面构筑及界面性能研究
  • 批准号:
    51764048
  • 批准年份:
    2017
  • 资助金额:
    38.0 万元
  • 项目类别:
    地区科学基金项目
新型闪烁晶体Gd2Si2O7:Ce的结晶行为、制备及性能研究
  • 批准号:
    51402184
  • 批准年份:
    2014
  • 资助金额:
    25.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
暖白光LED用低光衰高显色性Lu3Al5-x(Si/B)xO12-yNy:Ce荧光粉的研究
  • 批准号:
    51472087
  • 批准年份:
    2014
  • 资助金额:
    78.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
微波碳热还原氮化法制备暖白光LED用La3Si6N11:Ce3+荧光粉体及其光谱特性的调控
  • 批准号:
    51102252
  • 批准年份:
    2011
  • 资助金额:
    25.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

電圧印加による単結晶SiおよびGeの低温変形メカニズム解明
通过施加电压阐明单晶 Si 和 Ge 的低温变形机制
  • 批准号:
    24K01361
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現
通过自主低温工艺同时实现硅量子点的高产率生产和高质量
  • 批准号:
    24K07564
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaAs系ナノワイヤの大容量分子線エピタキシャル成長と光電変換応用
Si衬底上大容量GaAs纳米线分子束外延生长及光电转换应用
  • 批准号:
    24KJ0323
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
微細加工と組成制御によるSiGe/Si面直界面を有する熱電薄膜構造の開発
通过微加工和成分控制开发具有SiGe/Si垂直界面的热电薄膜结构
  • 批准号:
    24K17513
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
  • 批准号:
    23K26158
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
音響気体温度計を用いた新SI定義に基づく高温温度標準の構築
使用声学气体温度计构建基于新 SI 定义的高温标准
  • 批准号:
    23K20942
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
119番新元素発見に向けた極薄不感層Si半導体検出器の開発
开发超薄死层硅半导体探测器发现新元素119
  • 批准号:
    24K03198
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Vertical GaN-on-Si membrane power transistors: Efficient power electronics for mass-market applications (VertiGaN)`
垂直硅基氮化镓薄膜功率晶体管:面向大众市场应用的高效电力电子器件 (VertiGaN)`
  • 批准号:
    EP/X014924/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Research Grant
Si表面におけるシランカップリング剤分子層の反応および金属めっきへの影響
Si表面硅烷偶联剂分子层的反应及对金属镀层的影响
  • 批准号:
    24K08051
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si結晶上のIn原子層における共有結合型のモアレ超構造:超大規模第一原理計算で実証
硅晶体上 In 原子层中的共价莫尔超结构:通过超大规模第一原理计算证明
  • 批准号:
    24K08251
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了