权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

ファセットデンドライト成長を利用した高品質薄板多結晶シリコンの成長技術の開発

开发利用多面枝晶生长的高质量薄多晶硅生长技术

基本信息

批准号：
21686001
负责人：
藤原航三
金额：
$ 17.39万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、薄板多結晶シリコンの成長技術を開発するための要素技術として、融液成長過程においてSi多結晶が成長するメカニズムを解明することを目的としている。本技術開発には、融液成長過程において、ファセットデンドライト成長を効果的に発現させることが重要となる。本年度は、昨年度に導入したシリコンの融液成長過程のその場観察装置を用いて実験を行い、Si融液から薄板結晶が成長する過程を直接観察し、特に、ファセットデンドライト成長メカニズムの解明において大きな成果が得られた。本装置を用いた実験により、Si<110>ファセットデンドライトの成長過程を詳細に観察することができ、その成長メカニズムを解明した(Phys. Rev. B, 81(2010)224106)。これにより、Si<112>ファセットデンドライトとの成長メカニズムの違いが明らかになった。また、ファセットデンドライトの成長速度の理論式を専出し、過冷却度がファセットデンドライトの成長速度に及ぼす影響を理論と実験の両方から明らかにした(Appl. Phys. Lett., 98(2011)012113)。過冷却度が同じ場合、<110>デンドライトの成長速度の方が、<112>デンドライトの成長速度より大きくなることが示された。また、過冷却度の大きさによって、<112>デンドライトと<110>デンドライトの発生割合が変化することが明らかとなった(Cryst. Growth Des., 11(2011)1402)。低過冷却度では<112>デンドライトの発生割合が大きく、高過冷却度では<110>デンドライトの発生割合が大きくなる。これにより、融液成長過程において、どちらか一方のファセットデンドライトのみ発現させるための知見が得られた。

This research is based on thin plate polycrystalline growth technology, element technology, and melt. The growth process is polycrystalline and the growth process is clear. This technology is important for the development of the molten liquid growth process and the growth effect of the molten liquid. This year and last year, we introduced the use of on-site observation equipment for the molten liquid growth process and the use of Si molten thin plate crystallizers this year and last year.がThe growth process is directly observed し、特に、ファセットデンドライトgrowthメカニズムの解明において大きなachievementられた. This device has been grown using the いた実験により、Si<110>ファセットデンドライトのCheng を in detail に観看することができ、そのgrowth メカニズムを解明した (Phys. Rev. B, 81(2010)224106).これにより、Si<112>ファセットデンドライトとの成メカニズムのviolationいが明らかになった.また、ファセットデンドライトのTheoretical formula of growth rate を専出し、Supercooling degree がファセットデンドライトのgrowth rateにandぼすimpactをTheoryと実験の両方から明らかにした(Appl. Phys. Lett., 98(2011)012113). When the supercooling degree is the same, <110> デンドライトのgrowth speed のsquareが, <112> デンドライトのgrowth speed より大きくなることが Show された.また、Supercooling degreeの大きさによって、<112>デンドライトと<110> Cryst. Growth Des., 11(2011)1402). The low supercooling degree is では<112>デンドライトの発生成合が大きく, and the high supercooling degree is では<110>デンドライトの発生开合が大きくなる.これにより、The melt growth process において、どちらか方のファセットデンドライトのみ発appearsさせるための知见がgetられた.