Position- and structure-Control of Atomic Steps on Crystal Surfaces and Its Atom/Molecule Modification

晶体表面原子台阶的位置和结构控制及其原子/分子修饰

• 批准号: 22360015
• 负责人: YAMABE Kikuo
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360015/
• 关键词: シリコン; 単結晶; 原子ステップ; 原子テラス; 平坦性; ラフネス; 均一性; Si; SiC; 密度; 分布; 密度緩和; 二次元分布; 金属ナノワイヤ; 表面; 酸化膜; 有機分子; センサー; 成長核; 自然酸化; 水分; バックボンド; テラス; エッチング; 三角ピット; インデンテーション; 損傷; フェンス; 酸化物; SiO2

项目成果

NF3 Added Oxidation of 4H-SiC(0001) and Suppression of Interface Degradation

NF3 增加了 4H-SiC(0001) 的氧化并抑制界面退化

• 作者: Ryu Hasunuma;Masahito Nagoshi;and Kikuo Yamabe
• 通讯作者: and Kikuo Yamabe

ホットキャリアによるシリコン空乏層とMOS特性の劣化

热载流子导致硅耗尽层和 MOS 特性恶化

• 发表时间: 2012
• 作者: 長澤達彦;蓮沼隆;山部紀久夫
• 通讯作者: 山部紀久夫

HfO2膜中の結晶/アモルファス界面近傍欠陥とリーク電流

HfO2 薄膜晶体/非晶界面附近的缺陷和漏电流

• 发表时间: 2012
• 作者: 蓮沼隆;宮本雄太;下田恭平;上殿明良;山部紀久夫
• 通讯作者: 山部紀久夫

Oxidation characteristics of silicon exposed to O(1D2) and O(3P2) radicals and stress-relaxation oxidation model for O(1D2) radicals

硅暴露于O(1D2)和O(3P2)自由基的氧化特性及O(1D2)自由基的应力松弛氧化模型

• 发表时间: 2014
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Yoshiro Kabe;Ryu Hasunuma;and Kikuo Yamabe
• 通讯作者: and Kikuo Yamabe

Microscopic Thickness Uniformity and Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Dispersion of Thermally Grown Ultrathin SiO2 Film on Atomically Flat Si Surface

原子平坦硅表面上热生长超薄 SiO2 薄膜的微观厚度均匀性和随时间变化的介电击穿寿命分布

• DOI: 10.7567/jjap.52.031301
• 发表时间: 2013
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: Ryu Hasunuma;Yusuke Hayashi;Masahiro Ota;and Kikuo Yamabe
• 通讯作者: and Kikuo Yamabe