Optical absorption spectra of semiconductor films measured bya photothermal technique with eliminating a scattering light
Optical absorption spectra of semiconductor films measured bya photothermal technique with eliminating a scattering light
消除散射光的光热技术测量半导体薄膜的光吸收光谱
批准号：
22560024
负责人：
IKARI Tetsuo
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
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英文摘要
Optical absorption spectra of highly non-uniform samples weresuccessfully observed by using our developed piezoelectric photothermal spectroscopy interms of non-radiative transitions of photo excited carriers. The results showed that thepresent method provided an important knowledge for discussing the electronic structuresof nano-structured semiconductor materials.
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Effect of N composition on temperature dependence of band gap energies of Ga AsN thin films grown by Chemical Beam Epitaxy
N 成分对化学束外延生长的 Ga AsN 薄膜带隙能量温度依赖性的影响
N 成分对化学束外延生长的 Ga AsN 薄膜带隙能量温度依赖性的影响
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Yamamoto, K.Kashima, A.Suzuki, H.Suzuki, A.Fukuyama, M.Inagaki, M.Yamaguchi, T.Ikari]
通讯作者：
T.Ikari
研究室ホームページ
实验室主页
实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Effect of Be doping on the optical properties ofcatalyst free MBE-VLS grown GaAs nanowireson Si (111) substrate
Be掺杂对Si(111)衬底上无催化剂MBE-VLS生长GaAs纳米线光学性能的影响
Be掺杂对Si(111)衬底上无催化剂MBE-VLS生长GaAs纳米线光学性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M.Yokoyama, W.S.Liang, W.Chen, A.T.S.Wee, T.Matsui, J.Yuhara, 岡田亘太郎,赤坂大樹,齋藤秀俊,伊藤治彦, A. Suzuki and T. Ikari]
通讯作者：
A. Suzuki and T. Ikari
Determination of the band gap and its excitonbinding energy of 100nm thick GaInNAs films by using a piezoelectric photo-thermal and aphoto-reflectance spectroscop
使用压电光热和光反射光谱仪测定 100 nm 厚 GaInNAs 薄膜的带隙及其激子结合能
使用压电光热和光反射光谱仪测定 100 nm 厚 GaInNAs 薄膜的带隙及其激子结合能
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H.Araki, T.Suzuki, H.Saitoh, 小原康寛，大谷 優，長田 明，小寺正敏, A. Fukuyama and T. Ikari]
通讯作者：
A. Fukuyama and T. Ikari
Effects of growth method on localized state ofnitrogen atoms in GaAsN thin films
生长方法对GaAsN薄膜中氮原子局域态的影响
生长方法对GaAsN薄膜中氮原子局域态的影响
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Onitsuka, K.Koshimura, H.Ito, S. Yamamoto7 and T. Ikari]
通讯作者：
S. Yamamoto7 and T. Ikari
共 45 条
Investigation of Optical Absorption Spectra of Extremely Thin Semiconductor Quantum Structure by a Piezoelectric Photothermal Spectroscopy
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批准号：15560020
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.37万
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财政年份：2003
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负责人：IKARI Tetsuo
-
依托单位：
海外基金