Study of photoconductivity of Ga-doped ZnO thin films
Study of photoconductivity of Ga-doped ZnO thin films
批准号:
22560027
负责人:
KISHIMOTO Seiichi
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2012
中文摘要
通过面外XRD测量、霍尔效应测量、光吸收测量和光电导率测量对Ga掺杂ZnO薄膜和未掺杂ZnO薄膜进行了评价。结晶度的提高提高了光电导率的响应,提高了光电导率。
英文摘要
Ga doped ZnO thin films and undoped ZnO thin films were evaluated from the out-of-plane XRD measurement, Hall-effect measurement, photo-absorption measurement, and photoconductivity measurement. Improvement of crystallinity improves the response of the optical conductivity, and increase the photoconductivity.
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会议论文
Ga doped ZnO Film CO Gas Sensor Grown by Plasma-Assisted Electron-Beam Deposition
等离子体辅助电子束沉积生长的 Ga 掺杂 ZnO 薄膜 CO 气体传感器
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Seiichi Kishimoto, Chieko Kumamoto,and Tetsuya Yamamoto]
通讯作者:
Chieko Kumamoto,and Tetsuya Yamamoto
Study of ZnS epitaxial layer by triple co-doping method
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批准号:16560286
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2004
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负责人:KISHIMOTO Seiichi
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依托单位:
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批准号:13650363
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2001
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负责人:KISHIMOTO Seiichi
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依托单位:
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批准号:08556018
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$2.5万
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财政年份:1996
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负责人:KISHIMOTO Seiichi
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依托单位:
Study of Electromagnetic Interference with Medical Engineering Equipment
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批准号:04557118
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
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资助金额:$3.07万
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财政年份:1992
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负责人:KISHIMOTO Seiichi
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依托单位:
国内基金
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