Attempt of application of half-metal granular to spin transistor structure
Attempt of application of half-metal granular to spin transistor structure
半金属颗粒在自旋晶体管结构中的应用尝试
批准号：
22560308
负责人：
JIMBO Mutsuko
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
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英文摘要
The granular films consisting of a ful-Heusler CFAS alloy and Al2O3 exhibited a large MR ratio of about 18% at room temperature. This value is the largest value ever reported for magnetic metal-insulator granular films. It was suggested that the large MR ratio was obtained owing to the existence of granules with L21 or B2 phases, which exhibit high spin polarization. This result showed the possibility of the application of the half-metal to the granular films.
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Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5>-MgF_2グラニュラー薄膜の構造とトンネル磁気抵抗効果
Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5>-MgF_2颗粒薄膜的结构及隧道磁阻效应
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浦川依久, 尾崎正太郎, 藤原裕司, 小原直人, 前田浩二, 加藤剛志, 神保睦子, 小林正]
通讯作者：
小林正
CoFeAlSi合金を用いたグラニュラー薄膜の磁気抵抗効果
CoFeAlSi合金颗粒薄膜的磁阻效应
CoFeAlSi合金颗粒薄膜的磁阻效应
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
電気学会論文誌A
影响因子：
--
作者：
[佐藤和宣, 藤原裕司, 加藤剛志, 神保睦子, 小林正]
通讯作者：
小林正
Tunneling magnetoresistance effect and structure of granular films using CoFeAlSi alloy
CoFeAlSi合金颗粒薄膜的隧道磁阻效应和结构
CoFeAlSi合金颗粒薄膜的隧道磁阻效应和结构
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Kondo, T. Chino, M. Hattori, Y. Urakawa, Y. Fujiwara, T. Kato, M. Jimbo]
通讯作者：
M. Jimbo
Magnetoresistance and electronic structure of granular films with MgO or MgF2 matrices
MgO 或 MgF2 基体颗粒薄膜的磁阻和电子结构
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DOI：
10.1088/1742-6596/266/1/012087
发表时间：
2011
期刊：
Journal of Physics : Conference Series
影响因子：
--
作者：
[Y.Fujiwara, H.Matsuda, K.Sato, M.Jimbo, T.Kobayashi]
通讯作者：
T.Kobayashi
Tunnel Magnetoresistance of CoFeAlSi-AlO Granular Films
CoFeAlSi-Al2O颗粒薄膜的隧道磁阻
CoFeAlSi-Al2O颗粒薄膜的隧道磁阻
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M.Kondo, T.Chino, Y.Fujiwara, M.Jimbo]
通讯作者：
M.Jimbo
共 7 条
Spin dependent electron transport in hot electron transistor using magnetic metal
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批准号：18560317
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.49万
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财政年份：2006
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负责人：JIMBO Mutsuko
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依托单位：
Hot electron transistor using magnetic thin film as metal base
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批准号：11450130
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$7.49万
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财政年份：1999
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负责人：JIMBO Mutsuko
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依托单位：
海外基金