レーザMBE法による強誘電体・強磁性体人工格子の創成と新規メモリ素子化研究
レーザMBE法による強誘電体・強磁性体人工格子の創成と新規メモリ素子化研究
批准号:
09750357
负责人:
田畑 仁
金额:
$1.6万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 1998
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英文摘要
生体の持つ五感を越える高感度を持ち、あるいは生体が感ずることのできない情報(磁場、赤外線等)を検出可能な、“超五感センサ"。また脳機能の持つ、しなやかな情報処理、可塑性、適応学習機能を目指した“脳型メモリ"。これらの実現に向けて、単一機能ではなく、異なる幾つかの機能を調和・融合した、機能調和人工格子の開発を実施した。特にメモリ機能を有する強誘電体および強磁性体を中心とし、可視および紫外に優れた光伝導機能を有する有機物や酸化物半導体等を原子・分子スケールで組み合わせた機能調和人工格子やヘテロ構造素子を創成した。これにより、外部からの情報(例えば光情報)が、双極子分極→格子歪み→スピン状態→電気伝導と、様々な物理量に形を変えて伝達する、新しい素子材料が可能となった。これは、生体機能が備える、信号認識→伝達→記憶に相当するものである。具体的な研究成果の1つは、可視域に優れた吸収特性をもち、高効率な光伝導特性を有する有機物質(銅フタロシアニン:CuPc)と、大きな分極特性を持つ無機強誘電体(BaTiO_3)、さらに強磁性半導体である((La,Sr)MnO_3)のへテロ人工格子である。光照射により有機層の実効的な抵抗が減少することにより、強誘電体中の残留分極特性が変化する。強誘電体層は、トランジスタ構造のゲート部を担っているため、この変化に対応して強磁性半導体の電気伝導性が、電解効果により変化する。このようにして、光の情報を双極子分極情報として蓄え、伝導性変化の情報として取り出す、という光→分極→伝導の伝達が可能であることを示すことができた。これは光情報が直接分極情報として蓄えられたことを意味しており、熱による相転移現象を利用していた従来のMO(光磁気)ディスクに対して、本素子は文字通り、直接型光メモリの初めての例であといえる。
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H.Tabata: "Di/Ferroelectric Properties of Bithmus Base Layered Ferriekectric Films for Application on Nonvolatile Memories" IEICE TRANS ELECTRONICS(電子情報通信学会 英文論文誌C). E81-C. 566-571 (1998)
H.Tabata:“Bithmus 基层状铁电薄膜在非易失性存储器上的应用”IEICE TRANS ELECTRONICS(IEICE 英文期刊 C)(1998 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
H.Tabata: "Dielectric Properties of Strained (St, Ca)TiO_3/(Ba,Sr)TiO_3 Artificial Lattices" Appl.Phys.Lett.70. 321-323 (1997)
H.Tabata:“应变 (St, Ca)TiO_3/(Ba,Sr)TiO_3 人工晶格的介电性能”Appl.Phys.Lett.70。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Yanagiata: "AFM Observation of the lnitial Growth Stage and the Ferroelectric Properties of Bi2VO5.5 Fims on SrTiO3(100), Si(100) Substrates." Jpn.J.Appl.Phys.36. 5917-5920. (1997)
T.Yanagiata:“AFM 观察 SrTiO3(100)、Si(100) 基板上 Bi2VO5.5 薄膜的初始生长阶段和铁电性能。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
S.Hontsu: "Formation of c-Axis Oriented YBa_2Cu_3O_<7-y>Thin Film on Amorphous Substrates with A1(111)Buffer Layer" Jpn.J.Appl.Phys.37. 4358-4361 (1998)
S.Hontsu:“在具有A1(111)缓冲层的非晶衬底上形成c轴取向的YBa_2Cu_3O_<7-y>薄膜”Jpn.J.Appl.Phys.37。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Nakano: "Fabrication and Characterization of(Sr,Ba)Nb2O6 Thin Films by Pulsed Laser Deposition." Jpn.J.Appl.Phys.36. L1331-L1332. (1997)
M.Nakano:“脉冲激光沉积 (Sr,Ba)Nb2O6 薄膜的制造和表征”。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 24 条
Investigating the hybrid quantum magnonic system for next-generation quantum information processing
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批准号:23KF0139
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2023
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Ultra-sensitive biomagnetic sensor based on spin wave quantum interference and stochastic resonance information processing
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批准号:22K18804
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2022
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Ultra High Sensitive Electric Nose for Medical Engineering Applications
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批准号:20H05651
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$125.8万
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财政年份:2020
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
生体ゆらぎを模倣するリラクサー・スピングラス材料創製と情報処理デバイス研究
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批准号:21656158
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
自己組織化半導体ナノロッドを用いた非蛍光標識型遺伝子トランジスタ
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批准号:17651070
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2005
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
極限界面・結晶成長制御による室温スピントロニクスデバイスの研究
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批准号:16031208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.2万
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财政年份:2004
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
完全界面制御プロセスによる機能調和素子創成
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批准号:13025228
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$26.94万
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财政年份:2001
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーMBE法と基板方位制御による低次元量子スピン系人工格子の創製
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批准号:12046248
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2000
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーアブレーションによるぺブロスカイト型機能調和薄膜の形成
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批准号:99F00067
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学原子層エピタキシーによる分子認識機能界面の創成
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批准号:10131241
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1998
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学分子層エピタキシーによる分子認識機能界面の創成
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批准号:11118246
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学原子層エピタキシ-による分子認識機能界面の創成
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批准号:09237241
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による強誘電体極限材料の創成
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批准号:09224210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体/強磁性体傾斜機能材料の創成
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批准号:09229237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体/強磁性体傾斜機能材料の創成
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批准号:08243236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による遷移金属酸化物人工格子の創成とその物性
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批准号:08750371
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による超強誘電体極限材料の創成
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批准号:08238210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による超強誘電体極限材料の創成
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批准号:07248209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーアブレーションによる機能性酸化物人工格子の創製と計算化学による予測-構造相転移および物性(電気特性)の予測-
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批准号:07750358
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
海外基金