Development of single-electron devices with graphene

石墨烯单电子器件的开发

• 批准号: 22760235
• 负责人: TSUYA Daiju
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760235/
• 关键词: 薄膜・量子構造; グラフェン; 単電子トランジスタ; 単電子集積回路; ナノ材料; ナノ加工; 集束イオンビーム; トンネルバリア; 量子効果

Graphene is an attractive material as a building block of next-generation electronic devices because of its excellent material property. In this study, we focused on graphene as an island of a single-electron transistor, and researched how to fabricate the device to operate in a higher temperature range and to apply to a single-electron integrated circuit.

石墨烯因其优异的材料性能而成为下一代电子器件的重要组成部分。在这项研究中，我们重点关注石墨烯作为单电子晶体管的岛，并研究如何制造该器件以在更高的温度范围内工作并应用于单电子集成电路。

项目成果

AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ

AlN/金刚石异质结金刚石场效应晶体管

• 发表时间: 2011
• 作者: 井村将隆;早川竜馬;大里啓孝;渡辺英一郎;津谷大樹;廖梅勇;小出康夫;天野浩
• 通讯作者: 天野浩

Evolution of nanophotonics from semiconductor photonic crystal device to matal/semiconductor plasmonic device

纳米光子学从半导体光子晶体器件到金属/半导体等离子体器件的演变

• 发表时间: 2010
• 作者: K.Asakawa;Y.Sugimoto;N.Ikeda;D.Tsuya;Y.Koide;Y.Watanabe;N.Ozaki;D.Kumar;T.Nomura;D.Inoue;A.Miura;H.Fujikawa;K.Sato
• 通讯作者: K.Sato

Optical properties of RGB filter comprising Aluminum film with surface plasmon enhanced transmission through sub-wavelength

由具有表面等离激元增强亚波长透射率的铝膜组成的 RGB 滤光片的光学特性

• 发表时间: 2010
• 作者: D.Inoue;T.Nomura;H.Fujikawa;K.Sato;N.Ikeda;D.Tsuya;Y.Sugimoto;Y.Koide;K.Asakawa
• 通讯作者: K.Asakawa

AlN/Diamondヘテロ接合型電界効果トランジスタの開発

AlN/金刚石异质结场效应晶体管的研制

• 发表时间: 2011
• 作者: 井村将隆;早川竜馬;大里啓孝;渡辺英一郎;津谷大樹;Meiyong Liao;小出康夫;天野浩
• 通讯作者: 天野浩

Contact resistance in graphene-based devices

• DOI: 10.1016/j.physe.2009.11.080
• 发表时间: 2010-02-01
• 期刊: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
• 影响因子: 3.3
• 作者: Russo, S.;Craciun, M. F.;Tarucha, S.
• 通讯作者: Tarucha, S.