Development of single-electron devices with graphene
Development of single-electron devices with graphene
批准号:
22760235
负责人:
TSUYA Daiju
金额:
$2.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2011
中文摘要
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英文摘要
Graphene is an attractive material as a building block of next-generation electronic devices because of its excellent material property. In this study, we focused on graphene as an island of a single-electron transistor, and researched how to fabricate the device to operate in a higher temperature range and to apply to a single-electron integrated circuit.
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AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ
AlN/金刚石异质结金刚石场效应晶体管
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[井村将隆, 早川竜馬, 大里啓孝, 渡辺英一郎, 津谷大樹, 廖梅勇, 小出康夫, 天野浩]
通讯作者:
天野浩
Evolution of nanophotonics from semiconductor photonic crystal device to matal/semiconductor plasmonic device
纳米光子学从半导体光子晶体器件到金属/半导体等离子体器件的演变
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K.Asakawa, Y.Sugimoto, N.Ikeda, D.Tsuya, Y.Koide, Y.Watanabe, N.Ozaki, D.Kumar, T.Nomura, D.Inoue, A.Miura, H.Fujikawa, K.Sato]
通讯作者:
K.Sato
Optical properties of RGB filter comprising Aluminum film with surface plasmon enhanced transmission through sub-wavelength
由具有表面等离激元增强亚波长透射率的铝膜组成的 RGB 滤光片的光学特性
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[D.Inoue, T.Nomura, H.Fujikawa, K.Sato, N.Ikeda, D.Tsuya, Y.Sugimoto, Y.Koide, K.Asakawa]
通讯作者:
K.Asakawa
AlN/Diamondヘテロ接合型電界効果トランジスタの開発
AlN/金刚石异质结场效应晶体管的研制
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[井村将隆, 早川竜馬, 大里啓孝, 渡辺英一郎, 津谷大樹, Meiyong Liao, 小出康夫, 天野浩]
通讯作者:
天野浩
DOI:
10.1016/j.physe.2009.11.080
发表时间:
2010-02-01
期刊:
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
影响因子:
3.3
作者:
[Russo, S., Craciun, M. F., Tarucha, S.]
通讯作者:
Tarucha, S.
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