Terahertz oscillating resonant tunneling diode having beam shaping function using three-dimensionally integrated antenna structure

采用三维集成天线结构的具有波束整形功能的太赫兹振荡谐振隧道二极管

• 批准号: 22760247
• 负责人: SUZUKI Safumi
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760247/
• 关键词: 電子デバイス; 集積回路; 超高速電子デバイス; テラヘルツ; 超高速デバイス; 量子エレクトロニクス

Terahertz oscillating resonant tunneling diode with three-dimensionally integrated micro size Yagi antenna array was proposed. The radiation pattern was calculated and fabrication process was studied. A high antenna gain of around 19 dBi was theoretically expected in the RTD oscillator integrated with three element Yagi antenna array. The conditions for fabrication of thin substrate and thick dielectric layer were experimentally studied.

提出了一种太赫兹振荡共振隧穿二极管与三维集成微尺寸八木天线阵列。计算了器件的辐射方向图，并对器件的制作工艺进行了研究。理论上预期RTD振荡器与三元件八木天线阵列集成时具有约19 dBi的高天线增益。实验研究了薄衬底和厚介质层的制备条件。

项目成果

Room-Temperature Resonant Tunneling Diode Terahertz Oscillator Based on Precisely Controlled Semiconductor Epitaxial Growth Technology,高精度結晶成長技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現

基于精密控制半导体外延生长技术的室温谐振隧道二极管太赫兹振荡器

• 发表时间: 2011
• 期刊: NTTTechnical Review, NTT技術ジャーナル
• 作者: H. Sugiyama;S. Suzuki;and M. Asada;杉山弘樹;鈴木左文;浅田雅洋
• 通讯作者: 浅田雅洋

ボウタイアンテナ集積型Ni-InP SBDのカットオフ周波数向上と感度測定

集成Ni-InP SBD领结天线的截止频率改进和灵敏度测量

• 发表时间: 2012
• 作者: 小林智;小林耕平;田代裕樹;宮脇哲也;植田研二;浅野秀文;丸山薫
• 通讯作者: 丸山薫

共鳴トンネルダイオードの基本波1THz室温発振

谐振隧道二极管基波1THz室温振荡

• 发表时间: 2011
• 作者: 小林智;吉本耕助;立木翔治;竹田陽一;植田研二;浅野秀文;浅田雅洋
• 通讯作者: 浅田雅洋

Intensity Modulation of Sub-Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode by Irradiation of 1. 55m Laser

1. 55m 激光照射对亚太赫兹振荡谐振隧道二极管的强度调制

• 发表时间: 2011
• 作者: S. Kaburaki;S. Suzuki;and M. Asada
• 通讯作者: and M. Asada

Fundamental oscillation up to 1.08THz in resonant tunneling diodes with high-indium-composition transit layers for reduction of transit delay

具有高铟成分传输层的谐振隧道二极管的基波振荡高达 1.08THz，可减少传输延迟

• DOI: 10.1587/elex.9.385
• 发表时间: 2012
• 期刊: IEICE Electronics Express
• 影响因子: 0.8
• 作者: A.Teranishi;K.Shizuno;S.Suzuki;M.Asada;H.Sugiyama;H. Yokoyama
• 通讯作者: H. Yokoyama