Fabrication of novel spintronic devices using the ferromagnet/diamond semiconductor heterostructures

使用铁磁体/金刚石半导体异质结构制造新型自旋电子器件

• 批准号: 22760250
• 负责人: UEDA Kenji
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760250/
• 关键词: 量子デバイス・スピンデバイス; ダイヤモンド; ダイヤモンド半導体; 強磁性; スピン注入; スピンデバイス; ハーフメタル; ショットキー接合; スピントロニクス; 強磁性体; ホイスラー合金

In this research, we tried fabricating novel spintronic devices using ferromagnets/diamond semiconductors heterostructures and obtained mainly following three results.(1) It is found that ferromagnetic and half-metallic Heusler Co_2MnSi can be epitaxially grown on diamond for the first time.(2) Schottky barrier heights between ferromagnetic metal and diamond semiconductor can be controlled by selecting ferromagnetic metals with proper work function.(3) Signals related to spin injection were observed by 3-probe Hanle measurements using Ni/diamond ferromagnetic heterojunctions(τ=～20ps).

在本研究中，我们尝试利用铁磁体/金刚石半导体异质结来制作新型的自旋电子器件，主要取得了以下三个方面的成果。(1)首次在金刚石衬底上外延生长了铁磁半金属Heusler Co_2MnSi。(2)通过选择具有适当功函数的铁磁金属，可以控制铁磁金属与金刚石半导体之间的肖特基势垒高度。(3)利用Ni/金刚石铁磁异质结（τ=~ 20 ps），通过三探针Hanle测量，观察到了与自旋注入有关的信号。

项目成果

Fabrication of Schottky junctions using diamond/ferromagnet heterostructures

使用金刚石/铁磁体异质结构制造肖特基结

• 发表时间: 2011
• 作者: T. Soumiya;K. Ueda;and H. Asano
• 通讯作者: and H. Asano

Fe_2CrSi/Fe_2VSi多層膜の磁気特性と磁気抵抗効果

Fe_2CrSi/Fe_2VSi多层薄膜的磁性能及磁阻效应

• 发表时间: 2010
• 作者: 宮脇哲也;高橋一成;藤田裕人;竹田陽一、植田研二,浅野秀文
• 通讯作者: 竹田陽一、植田研二,浅野秀文

Ferromagnetic Schottky junctions using diamond semiconductors

• DOI: 10.3379/msjmag.1206r006
• 发表时间: 2012-05
• 期刊: Journal of The Magnetics Society of Japan
• 作者: T. Soumiya;K. Ueda;N. Fukatani;T. Miyawaki;H. Asano

Spin Filter Effect of La_<0.7>Sr_<0.3>MnO_3/Bi_<1-x>Ba_xFeO_3 Junctions

La_<0.7>Sr_<0.3>MnO_3/Bi_<1-x>Ba_xFeO_3结的自旋滤波器效应

• 发表时间: 2010
• 期刊: Journal of the Magnetics Society of Japan
• 作者: S.Kobayashi;S.Tachiki;K.Yoshimoto;Y.Sugimoto;Y.Takeda;K.Ueda;H.Asano
• 通讯作者: H.Asano

ペロブスカイト酸化物電極上のBa_<0.7>Sr_<0.3>TiO_3薄膜の強誘電特性

钙钛矿氧化物电极上Ba_<0.7>Sr_<0.3>TiO_3薄膜的铁电性能

• 发表时间: 2011
• 作者: 小林智;小林耕平;田代裕樹;宮脇哲也;植田研二;浅野秀文
• 通讯作者: 浅野秀文