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3D characterisation of microstructure around a crack tip by combining high-voltage electron microscopy and tomography.
结合高压电子显微镜和断层扫描对裂纹尖端周围的微观结构进行 3D 表征。
基本信息
- 批准号：22760544
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Three-dimensional structures of crack tip dislocations were observed, using electron tomography with a high-voltage electron microscope. It was calculated that the effect of elastic stress field due to the dislocations on the local stress field around the crack tip. It was elucidated that crack opening stress is applied at a part of the crack front, which becomes a new dislocation source. It was also elucidated that a certain dislocation double cross-slips ahead of the crack tip to be a Frank-Read source.
利用高压电子显微镜的电子层析成像技术，观察了裂纹尖端位错的三维结构。计算了位错引起的弹性应力场对裂纹尖端局部应力场的影响。结果表明，在裂纹前缘的一部分施加了裂纹张开应力，成为新的位错源。还阐明了裂纹尖端的位错双错滑移是Frank-Read源。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
3-D structures of crack-tipdislocations and their shielding effectrevealed by electron tomography
电子断层扫描揭示的裂纹尖端位错的 3D 结构及其屏蔽效应
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;M. Honda;S. Sadamatsu;K. Higashida
- 通讯作者：K. Higashida
HVEMトモグラフィーによる結晶格子欠陥の三次元構造解析
使用 HVEM 断层扫描进行晶格缺陷的三维结构分析
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Sadamatsu;M. Tanaka;M. Honda;K. Higashida;M.Tanaka;K.HIGASHIDA;M.TANAKA;田中將己;S.SADAMATSU;田中將己
- 通讯作者：田中將己
Crack tip dislocations ovserved by TEM葉omography in silicon single crsytals
TEM叶层析成像观察硅单晶中的裂纹尖端位错
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Sadamatsu;M. Tanaka;M. Honda;K. Higashida
- 通讯作者：K. Higashida
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