Creation of oxide heterostructures with magnetic particles and their application to semiconductor-based electronic devices

用磁性颗粒创建氧化物异质结构及其在半导体电子器件中的应用

• 批准号: 22656071
• 负责人: NAKANE Ryosho
• 金额: $ 2.22万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656071/
• 关键词: 結晶成長; 電子・電気材料; 電子デバイス・機器; 量子閉じ込め; 磁性; スピンエレクトロニクス; 先端機能デバイス; 電気・電子材料

The aim of this research is to create oxide heterostructures with magnetic particles and their application to semiconductor-based electronic devices. To achieve this, an epitaxial oxide/Si substrate structure is needed for a template. Using high-ultra-vacuum electron beam evaporation with an optimum substrate temperature and O2 gas pressure, Al2O3 was epitaxially grown on a Si(111) substrate. To analyze the phase of Al2O3, stoichiometry, and the heterointerface, X-ray photoelectron spectroscopy was performed for the fabricated epitaxial structure.

本研究的目的是建立氧化物异质结构与磁性颗粒和它们的应用，以晶闸管为基础的电子器件。为了实现这一点，需要外延氧化物/Si衬底结构作为模板。采用超高真空电子束蒸发技术，在最佳衬底温度和O2气压下，在Si（111）衬底上外延生长了Al_2 O_3。为了分析Al 2 O3的相、化学计量和异质界面，对所制造的外延结构进行X射线光电子能谱。

项目成果

Appearance of Anisotropic Magnetoresistance and Electric Potential Distribution in Si-Based Multiterminal Devices With Fe Electrodes

Fe电极硅基多端器件中各向异性磁阻的表现和电势分布

• DOI: 10.1109/lmag.2012.2201698
• 发表时间: 2012
• 期刊: IEEE Magnetics Letters
• 影响因子: 1.2
• 作者: R. Nakane;S. Sato;S. Kokutani;M. Tanaka
• 通讯作者: M. Tanaka

第16回半導体スピン工学の基礎と応用

第16届半导体自旋工程基础与应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 佐藤彰一;中根了昌;國谷瞬;中雅明
• 通讯作者: 中雅明

強磁性電極を有する半導体ベース多端子デバイスにおける電気伝導:デバイス構造が非局所信号へ与える影響

具有铁磁电极的半导体多端子器件中的导电：器件结构对非局部信号的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 佐藤彰一;中根了昌;國谷瞬;田中雅明
• 通讯作者: 田中雅明

Siチャネル及びFe電極を有する多端子横型デバイスにおける非局所信号への異方性磁気抵抗効果の影響

各向异性磁阻效应对硅通道和铁电极多端横向器件中非局域信号的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 佐藤彰一;中根了昌;國谷瞬;田中雅明
• 通讯作者: 田中雅明

Influence of anisotropic magnetoresistance on nonlocal signals in multi-terminal lateral devices with a Si channel and Fe electrodes

各向异性磁阻对硅通道和铁电极多端横向器件中非局域信号的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: S. Sato;R. Nakane;S. Kokutani;and M. Tanaka
• 通讯作者: and M. Tanaka