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Preparation of composition-and valence-controlled BiFeO_3 thin films and investigation of leakage mechanism

成分和价态控制的BiFeO_3薄膜的制备及泄漏机理研究

基本信息

批准号：
22656075
负责人：
FUJISAWA Hironori
金额：
$ 2.25万
依托单位：
University of Hyogo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2011
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656075/
关键词：
ビスマスフェライト絶縁性リーク電流組成制御価数制御 BiFeO_3

项目摘要

We investigated leakage mechanisms in composition-, valence-and domain structure-controlled epitaxial BiFeO_3 thin films prepared by dual ion beam sputtering. The leakage current was controlled by Poole-Frenkel emission independently of the composition ; AFM revealed the presence ofμm-sized local leakage spots with high conductivity. These results suggest that uniformity in composition and a large amount of charged traps can be the origin of a larger leakage than that in Pb-based ferroelectric thin films. Therefore, an improvement in composition uniformity and a decrease in charge traps will be indispensable to reduce the leakage in BiFeO_3 thin films.

我们研究了用双离子束溅射方法制备的成分、价态和磁区结构控制的BiFeO_3外延薄膜的漏机制。漏电流是由普尔-弗伦克尔发射控制的，与成分无关；原子力显微镜显示存在μm尺寸的局部漏点，具有高电导率。这些结果表明，成分的均匀性和大量的带电陷阱可能是造成比铅基铁电薄膜更大的漏电的原因。因此，提高BiFeO_3薄膜的成分均匀度和减少电荷陷阱对于减少BiFeO_3薄膜的漏电是必不可少的。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Growth of High Quality BiFeO_3 Thin Films by Dual Ion Beam Sputtering

双离子束溅射生长高质量BiFeO_3薄膜

DOI：
10.1109/isaf.2011.6014140
发表时间：
2011
期刊：
IEEE Proc. ISAF/PFM 2011
影响因子：
0
作者：
S. Nakashima;Y. Tsujita;S. Seto;H. Fujisawa;H. Nishioka;M. Kobune;M. Shimizu;J. M. Park;T. Kanashima;and M. Okuyama
通讯作者：
and M. Okuyama

デュアルイオンビームスパッタを用いたSrRuO3/SrTiO3 基板上へのBiFeO3薄膜の作製

双离子束溅射在 SrRuO3/SrTiO3 基底上制备 BiFeO3 薄膜

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
中嶋誠二,辻田陽介,瀬戸翔太;藤沢浩訓,小舟正文,清水勝,朴正敏,金島岳,奥山雅則;山崎浩司;西永慈郎;中嶋　誠二
通讯作者：
中嶋　誠二

RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO3薄膜の作製

射频平面磁控溅射法制备外延BiFeO3薄膜

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
前川亮介;冨田知大;仙波伸也;西村謙佑、浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛;高田　祐介
通讯作者：
高田　祐介

Characterization of Bismuth Ferrite Thin Films with Large c/a Axial Ratio Prepared by Ion Beam Sputtering

离子束溅射制备大c/a轴比铁氧体铋薄膜的表征

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
S.Nakashima;H.Fujisawa;et al.
通讯作者：
et al.

Structural and Ferroelectric Properties of Large c/a Phase Bismuth Ferrite Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering

离子束溅射制备大c/a相铁酸铋薄膜的结构和铁电性能

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1292
影响因子：
0
作者：
S. Nakashima;Y. Tsujita;H. Fujisawa;J.M. Park;T. Kanashima;M. Okuyama;M. Shimizu
通讯作者：
M. Shimizu