Development of on-demand single photon emitter by precisive charge number controlling on semiconductor nanoparticles

通过精确控制半导体纳米粒子的电荷数开发按需单光子发射器

• 批准号: 22681012
• 负责人: YASUTAKE Yuhsuke
• 金额: $ 12.81万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22681012/
• 关键词: 単一光子; ナノ粒子; 単一電子; 単一電子トランジスタ; 結晶欠陥; 半導体ナノ粒子; 固浸レンズ; ナノワイヤ; 微細構造; スピン; シリコン; ゲルマニウム; 量子ドット; 円偏光; スピン注入

Aim of this study was verification of on-demand single photon emitting devices by controlling the number of electrons and refractive index of single photon emitter. We have been headed for on-demand single photon emitter with electrical spins by using colloidal semiconductor, crystalline defects in Si, and direct transition of Ge as single photon source with nanogap electrodes structure. We have demonstrated (1) single electron transistor with nanogap electrodes and colloidal nanoparticles, (2) electroluminescence and optical amplification by silicon defect engineering, (3) construction of confocal microscope with high numerical aperture by using solid immersion lens, (4) optical spin injection into direct transition of Ge-based structure.

本研究的目的是通过控制单光子发射器的电子数和折射率来验证按需单光子发射器件。我们一直致力于利用胶体半导体、硅中的晶体缺陷和锗的直接跃迁作为具有纳米间隙电极结构的单光子源，实现具有电自旋的按需单光子发射器。我们已经展示了（1）具有纳米间隙电极和胶体纳米颗粒的单电子晶体管，（2）通过硅缺陷工程的电致发光和光放大，（3）通过使用固体浸没透镜的高数值孔径共聚焦显微镜的构造，（4）光学自旋注入到Ge基结构的直接跃迁中。

项目成果

シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化

混合激光退火法激活硅晶体高浓度δ掺杂层中的铋杂质

• 发表时间: 2010
• 作者: 村田晃一;安武裕輔;日塔光一;坂本邦博;深津晋;三木一司
• 通讯作者: 三木一司

Quantum oscillation due to Landau subbands in bulk Ge at room temperature

室温下散装 Ge 中朗道子带引起的量子振荡

• 发表时间: 2013
• 作者: 遠藤寿;芳村毅;松永行子;Y. Yasutake and S. Fukatsu
• 通讯作者: Y. Yasutake and S. Fukatsu

Geへの光スピン注入の温度依存性

光学自旋注入 Ge 的温度依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: Araki;J.;Kagaya;K.;Tsukamoto;N.;Ohkawa;K.;白石誠司;安武裕輔,深津晋
• 通讯作者: 安武裕輔,深津晋

発光欠陥を有するInSb QDs埋め込みSi構造における光利得のポストアニール依存性

具有发光缺陷的 InSb QD 嵌入 Si 结构中光学增益的退火后依赖性

• 发表时间: 2011
• 作者: 安武裕輔;深津晋
• 通讯作者: 深津晋

Observation of Oscillatory Magneto-photoluminescence of Direct Transition in Ge at Room Temperature

室温下Ge直接跃迁的振荡磁光致发光观察

• 发表时间: 2012
• 作者: Y.Yasutake;S.Hayashi;and S.Fukatsu,
• 通讯作者: and S.Fukatsu,