Development of germanium based Landau quantum oscillation devices at room temperature
Development of germanium based Landau quantum oscillation devices at room temperature
室温锗基朗道量子振荡器件的研制
批准号：
25600014
负责人：
YASUTAKE Yuhsuke
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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Valley-Selected Interband Absorption in Ge
Ge 中的谷选择带间吸收
Ge 中的谷选择带间吸收
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sakamoto, S. Hayashi, Y. Yasutake, S. Fukatsu]
通讯作者：
S. Fukatsu
Ge伝導帯バレーの選択的光学励起法
Ge导带谷的选择性光激发
Ge导带谷的选择性光激发
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大澤茜，安武裕輔，深津晋, 坂本哲也，安武裕輔，深津晋]
通讯作者：
坂本哲也，安武裕輔，深津晋
Si(111)基板上化学修飾ゲルマネンの作製
Si(111)衬底上化学改性锗烯的制备
Si(111)衬底上化学改性锗烯的制备
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[安武裕輔, 深津 晋]
通讯作者：
深津 晋
Morphology-driven Stark shift switching in Ge/Si type-II heterointerfaces
Ge/Si II 型异质界面中形态驱动的斯塔克位移转换
Ge/Si II 型异质界面中形态驱动的斯塔克位移转换
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amr.893.39
发表时间：
2014
期刊：
Advanced Materials Research
影响因子：
--
作者：
[Y. Miyake, Y. Yasutake, and S. Fukatsu]
通讯作者：
and S. Fukatsu
半導体のバレー選択が可能な新しい共鳴光励起法の開発
开发一种新的共振光激发方法，可以实现半导体的谷选择
开发一种新的共振光激发方法，可以实现半导体的谷选择
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[坂本哲也, 安武裕輔, 深津晋]
通讯作者：
深津晋
共 18 条
Development of on-demand single photon emitter by precisive charge number controlling on semiconductor nanoparticles
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批准号：22681012
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$12.81万
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财政年份：2010
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负责人：YASUTAKE Yuhsuke
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依托单位：
海外基金