Development of germanium based Landau quantum oscillation devices at room temperature

室温锗基朗道量子振荡器件的研制

基本信息

  • 批准号:
    25600014
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(20)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Valley-Selected Interband Absorption in Ge
Ge 中的谷选择带间吸收
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Sakamoto;S. Hayashi;Y. Yasutake;S. Fukatsu
  • 通讯作者:
    S. Fukatsu
Ge伝導帯バレーの選択的光学励起法
Ge导带谷的选择性光激发
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大澤茜,安武裕輔,深津晋;坂本哲也,安武裕輔,深津晋
  • 通讯作者:
    坂本哲也,安武裕輔,深津晋
Si(111)基板上化学修飾ゲルマネンの作製
Si(111)衬底上化学改性锗烯的制备
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    安武裕輔;深津 晋
  • 通讯作者:
    深津 晋
Morphology-driven Stark shift switching in Ge/Si type-II heterointerfaces
Ge/Si II 型异质界面中形态驱动的斯塔克位移转换
  • DOI:
    10.4028/www.scientific.net/amr.893.39
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Miyake;Y. Yasutake;and S. Fukatsu
  • 通讯作者:
    and S. Fukatsu
半導体のバレー選択が可能な新しい共鳴光励起法の開発
开发一种新的共振光激发方法,可以实现半导体的谷选择
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂本哲也;安武裕輔;深津晋
  • 通讯作者:
    深津晋
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YASUTAKE Yuhsuke其他文献

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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    23K13741
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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
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  • 资助金额:
    $ 2.58万
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