Elektronische Eigenschaften zweidimensionaler Inversions- und Akkumulationsschichten an der Grenzfläche Isolator/organischer Einkristall

绝缘体/有机单晶界面二维反转层和积累层的电子特性

基本信息

  • 批准号:
    5401466
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    德国
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    德国
  • 起止时间:
    2002-12-31 至 2008-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Organische Halbleiter eröffnen wegen ihrer kleineren Dielektrizitätskonstanten und ihrer viel höheren effektiven Masse einen Parameterbereich, der für die Physik stark wechselwirkender Elektronensysteme sehr interessant ist. In dünnen Schichten dominieren aber immer extrinsische Einflüsse, wie Korngrenzen, Verunreinigungen oder Ladungsfallen, die elektronischen Eigenschaften. Um die intrinsischen Eigenschaften dieser Materialien besser zu verstehen sind deshalb Untersuchungen an Einkristallen wichtig. Mithilfe des Feldeffekts kann die Ladungsträgerkonzentration in hochreinen Molekülkristallen in weiten Bereichen variiert werden. Die Ladungsträger sind dann in einem schmalen Oberflächenbereich konzentriert. Die elektronischen Eigenschaften zweidimensionaler Elektronengase an der Halbleiter/Isolator-Grenzfläche sind für klassische Halbleiter sehr intensiv untersucht worden. Neben Transportmessungen wurden dabei auch optische Methoden wie Spektroskopie im Mikrowellen- bis Ferninfrarot-Bereich eingesetzt. An organischen Einkristallen gibt es vergleichbare systematische Untersuchungen bis heute nicht. Ziel dieses Vorhabens ist es, die elektronischen Eigenschaften zweidimensionaler Inversions- und Akkumulationsschichten an der Grenzfläche Isolator/organischer Halbleiter mit Transportmessungen, Hochfrequenzmethoden und optischer Spektroskopie im Millimeter- bis Ferninfrarot-Bereich zu charakterisieren und so zum besseren Verständnis der intrinsischen Eigenschaften beizutragen.
Organische Halbleiter eröffnen wegen ihrer kleineren Dielektrizitätskonstanten und ihrer viel höheren effektiven Masse einen Parameterbereich,der für die Physik stark wechselfkender Elektronensysteme sehr interestant ist.在Schichten dominieren中,电子本征值始终受到外部影响,如Kornzen、Verunreinigungen或Ladungsfalling。这种内在的特征是最好的材料,它可以被理解为一种独特的东西。Mithilfe des Feldeffekts可以在hochreinen Molekülkristallen中进行Ladungsträgerkonzentration,然后在Bereichen变量韦尔登中进行。这条船在一个小的上层甲板上。Die elektronischen Eigenschaften zweidimensionaler Elektronengase an der Halbleiter/Isolator-Grenzfläche sind für klassche Halbleiter sehr intensiv untersucht沃登. Neben Transportmessungen wurden dabei auch optische Methoden wie Spektroskopie in Mikrowellen- bis Ferninfrarot-Bereich eingesetzt.一个有组织的基督徒现在还没有完全系统的研究。Ziel dieses Vorhabens ist es,die elektronischen Eigenschaften zweidimensionaler Inversions- und Aktenulationsschichten an der Grenzfläche Isolator/organischer Halbleiter mit Transportmessungen,Hochfrezenzmethoden und optischer Spektroskopie im Millimeter- bis Ferninfrarot-Bereich zu charakterisieren und so zum besseren Verständnis der intrinsischen Eigenschaften beizutragen.

项目成果

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