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Si/Geコアシェルナノワイヤへの位置制御ドーピングによる高移動度チャネルの形成

Si/Geコアシェルナノワイヤへの位置制御ドーピングによる高移動度チャネルの形成
通过位置控制掺杂在 Si/Ge 核壳纳米线中形成高迁移率通道
批准号：
23360015
负责人：
深田 直樹
金额：
$3.0万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360015/
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Development of vertical HEMT-type devices using Si-Ge core-shell heterojunction nanowires
  • 批准号：
    21H04642
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $26.29万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    深田 直樹
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
Development of self-powered sensors for medical application using p-ZnO nanowires and magnetic nanoparticles
フレキシブルＳｉナノ構造太陽電池の開発
半導体シリコンナノ細線の創製・配列・機能制御と単一ナノ物性評価
  • 批准号：
    17760003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $1.73万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    深田 直樹
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science