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水素分子形成制御ドーピングによるシリコン結晶中自己修復機能発現に関する研究

可控掺杂氢分子形成在硅晶体中表达自修复功能的研究

基本信息

批准号：
14750002
负责人：
深田直樹
金额：
$ 1.92万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2003
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-14750002/
关键词：
水素分子シリコン結晶非平衡ドーピング欠陥修復

项目摘要

水素分子形成制御ドーピングを可能にするために前年度までに非平衡水素原子導入装置を開発した。今年度は、この装置により作製された水素分子添加シリコン結晶に電子および中性子照射を行い、照射に対する耐性、つまり、水素分子による欠陥修復能を検証した。以下に、具体的な成果を示す。水素分子による欠陥修復能試験1)キャリアへの影響水素分子添加及び無添加のシリコン結晶に照射を行い、照射によるキャリア密度の減少に対する水素分子の抑制効果をホール測定により調べた。通常、照射によって結晶中に欠陥が導入されると、その欠陥が禁制帯中に深い準位を形成し、そこにキャリアが補償されるため、電気的に活性なキャリア濃度は減少する。しかしながら、予め水素分子を添加したシリコン結晶では、照射によるキャリア密度の減少を大幅に低減することが出来た。2)分光的手法による欠陥修復ダイナミクスの解明水素分子による欠陥修復のダイナミクスを明確にするために、次の実験を行った。照射により誘起された欠陥が水素分子と結合し、電気的に不活性になると、水素分子の振動スペクトル強度が減少し、代わって欠陥内に捕捉された水素の局在振動によるスペクトルが観測される。そこで、照射後に観測されるこの変化を、低温でのフーリエ変換赤外吸収測定およびラマン散乱測定を用いて詳細に調べた。その結果、水素と欠陥(空孔型欠陥と格子間型欠陥の両方)の複合体に起因した多数の振動ピークを観測することが出来た。また、水素によって不活性化されなかった欠陥の有無について電子スピン共鳴装置を用いて調べた結果、水素分子添加シリコン結晶においては、欠陥のスピン密度が極端に低減されていることがわかった。以上の結果から、照射損傷に対する水素分子の欠陥修復への有効性を示すことが出来た。

A non-equilibrium water atom introduction device was developed in the past year. This year, the device was designed to detect the presence of hydrogen molecules in the crystal, electron and electron irradiation, radiation resistance, and hydrogen molecule repair. Specific results are shown below. The effect of water molecule addition and non-addition on the recovery of water molecule was studied. Usually, the irradiation of the crystal is not introduced, the formation of the deep level in the inhibition zone, the compensation of the electric activity, the reduction of the concentration of the electric energy. The increase in the number of molecules in the crystal and the decrease in the number of molecules in the crystal 2) The method of spectroscopy is to repair the defect in the solution of water molecules, and to repair the defect in the solution in the solution. Irradiation induces the binding of water molecules, the inactivation of electricity, the reduction of vibration intensity of water molecules, and the capture of water molecules in vibration. For example, after irradiation, the temperature of the sample was measured, and the absorption of the sample was measured. As a result, most of the vibrations in the complex are due to the presence of water elements (void holes and lattice defects). The results of the electron resonance device are adjusted by the addition of water molecules. The density of the electron is extremely low. The above results show that there is an effective way to repair the damage caused by irradiation.