Study on heteroepitaxial growth of compound semiconductor and nanostructures
Study on heteroepitaxial growth of compound semiconductor and nanostructures
化合物半导体及纳米结构异质外延生长研究
批准号：
23560369
负责人：
GUO Qixin
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2013
中文摘要
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英文摘要
ZnTe is a promising material for high efficiency pure green LED. In this study, we investigated p-type ZnTe heteroepitaxial growth on n-type ZnO. X-ray diffraction, Raman spectroscopy and photoluminescence analysis revealed that p-type ZnTe(111) epitaxial films are obtained. Diode rectification was clearly observed from the current-voltage (I-V) characteristics of the ZnTe/ZnO hetero structure. These results and achievements were published on international journals such as Applied Physics Letters.
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Epitaxial Growth of ZnTe Layers on ZnO Bulk Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
金属有机气相外延在 ZnO 块体衬底上外延生长 ZnTe 层
金属有机气相外延在 ZnO 块体衬底上外延生长 ZnTe 层
DOI：
10.7567/jjap.52.040206
发表时间：
2013
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Yoichi Hoshi, Shin-ichi Kobayashi, Takayuki Uchida,Hidehiko Shimizu, Hajime Akiyama]
通讯作者：
Hajime Akiyama
DOI：
10.1063/1.4794950
发表时间：
2013-03
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Q. Guo;Kazutoshi Takahashi;Katsuhiko Saito;H. Akiyama;Tooru Tanaka;M. Nishio]
通讯作者：
Q. Guo;Kazutoshi Takahashi;Katsuhiko Saito;H. Akiyama;Tooru Tanaka;M. Nishio
Characterization of ZnTe layers on (0001) ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
通过金属有机气相外延表征 (0001) ZnO 衬底上的 ZnTe 层
通过金属有机气相外延表征 (0001) ZnO 衬底上的 ZnTe 层
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hajime Akiyama, Tooru Idekoba, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo]
通讯作者：
and Qixin Guo
Characterization of ZnTe Epilayers on GaAs (111) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
金属有机气相外延表征 GaAs (111) 衬底上的 ZnTe 外延层
金属有机气相外延表征 GaAs (111) 衬底上的 ZnTe 外延层
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Qixin Guo, Hajime Akiyama, Hiroyuki Hirano, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio]
通讯作者：
and Mitsuhiro Nishio
Qixin Guo, Kazutoshi Takahashi, Katsuhiko Saito, Hajime Akiyama, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
郭启鑫、高桥一俊、齐藤胜彦、秋山肇、田中彻、西尾光宏
郭启鑫、高桥一俊、齐藤胜彦、秋山肇、田中彻、西尾光宏
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Kazunari Shinbo, Yasuo Ohdaira, Akira Baba, Keizo Kato, Futao Kaneko, Band alignment of ZnTe/GaAs heterointerface investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy]
通讯作者：
Band alignment of ZnTe/GaAs heterointerface investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy
共 20 条
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