Enhancement of piezoelectric properties by introducing heterogeneous structure
Enhancement of piezoelectric properties by introducing heterogeneous structure
批准号:
23560804
负责人:
OKAMURA Soichiro
金额:
$3.24万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2013
中文摘要
采用化学溶液沉积法制备了具有一定气孔或铂纳米颗粒的PZT薄膜,并用原子力显微镜(AFM)对其压电性能进行了测试。薄膜厚度约为300 nm。用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对其微观结构进行了研究。通过改变旋涂速度来调节气孔的数量。最后估算了PZT薄膜的密度为0.92-0.98。另一方面,通过改变前驱体溶液的混合比例为0-9%来调节铂纳米粒子的量。结果表明,AFM估算的有效压电常数D33,AFM随着孔洞或铂纳米粒子数量的增加而增大。这些结果表明,非均相结构的引入增加了易被电场扭曲的不稳定晶格。
英文摘要
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films with some amounts of pores or Pt nanoparticles were prepared by chemical solution deposition and their piezoelectric properties were evaluated by atomic force microscopy (AFM). Film thickness was approximately 300 nm. Their microstructures were also investigated by scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). The amount of pores was adjusted by changing the speed of spin-coating. Finally, the densities of the PZT films were estimated to be 0.92-0.98. On the other hand, the amount of Pt nanoparticles was adjusted by changing the mixing ratios of precursor solutions to 0-9%. As a result, an effective piezoelectric constant d33,AFM estimated by the AFM was enhanced with increasing the amounts of pores or Pt nanoparticles. These results suggest that unstable lattices which were easily distorted with applying an electric field increased by introducing the heterogeneous structures.
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図8白金ナノ粒子の配合率2%のPZT薄膜相蘇亨、舟窪浩、岡村総一郎、山本孝、のヒステリシス特性および圧電特性飯島高志「Pb(Zr,Ti)O_3膜における圧電定数d_<31>, d_<33>の同時測定」
图8 铂纳米粒子掺混率为2%的PZT薄膜的磁滞特性和压电特性Toru Aiso, Hiroshi Funakubo, Soichiro Okamura, Takashi Yamamoto, Takashi Iijima“Pb(Zr,Ti)O_3薄膜中的压电常数d_<31>,同步d_<33> 的测量”
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松岡将史, 西出正道, 島宏美, 西田謙]
通讯作者:
西田謙
Pb(Zr,Ti)O3膜における圧電定数d31, d33の同時測定
同时测量 Pb(Zr,Ti)O3 薄膜中的压电常数 d31 和 d33
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[古館, 上川, 小島, 掛川, K.Kakegawa, 松岡将史,西出正道,島宏美,西田謙,相蘇亨,舟窪浩,岡村総一郎,山本孝,飯島高志]
通讯作者:
松岡将史,西出正道,島宏美,西田謙,相蘇亨,舟窪浩,岡村総一郎,山本孝,飯島高志
Comparison of Piezoelectric Properties of Pb(Zr_<0.4>, Ti_<0.6>)O_3 Thin Films with Different Microstructures
不同微结构Pb(Zr_<0.4>,Ti_<0.6>)O_3薄膜压电性能比较
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Okamura, R. Yanase, Y. Fujiuchi, T. Nakajima and T. Iijima]
通讯作者:
T. Nakajima and T. Iijima
「不均一構造導入による圧電体膜の特性改善」
“通过引入非均匀结构改善压电薄膜的性能”
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[柳瀬亮, 中嶋宇史, 飯島高志, 岡村総一郎]
通讯作者:
岡村総一郎
Crystal Structure Change with Applied Electric Field for (100)/(001)-oriented Polycrystalline Lead Zirconate Titanate Films
(100)/(001)取向多晶锆钛酸铅薄膜的晶体结构随施加电场的变化
DOI:
10.1557/opl.2013.161
发表时间:
2013
期刊:
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
影响因子:
--
作者:
[Ayumi Wada, Yoshitaka Ehara, Shintaro Yasui, Takahiro Oikawa, Mitsumasa Nakajima, Megu Wada, P. S. Sankara Rama Krishnan, Soichiro Okamura, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Takeshi Kobayashi, Hitoshi Morioka, and Hiroshi Funakubo]
通讯作者:
and Hiroshi Funakubo
共 7 条
Study on the Change in the Switching Properties of Ferroelectrics Thin Films with the Passage of Time
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批准号:18560024
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.28万
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财政年份:2006
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负责人:OKAMURA Soichiro
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依托单位:
Fabrication of Ferroelectric Nanocapacitors by Electron-beam Projection Patterning
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批准号:15560277
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:2003
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负责人:OKAMURA Soichiro
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依托单位:
A Study of the Electron-beam-induced Micropatterning Process for Composite Oxides
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批准号:10650348
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1998
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负责人:OKAMURA Soichiro
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依托单位:
国内基金
海外基金
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CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
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批准号:2026JJ50456
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:谭彦妮
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依托单位:
高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:王晓丽
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依托单位:
汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:林改
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依托单位:
基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
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批准号:JCZRMS202600414
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
二维卤化物铁电钙钛矿电子态及电子输运性质研究与调控
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批准号:2026JJ50114
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘标
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依托单位:
(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
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批准号:2026JJ50115
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:陈智慧
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依托单位:
薄膜锂电池正极界面多场耦合调控与铁电涂层增效机理
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批准号:2026JJ50366
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:朱哲
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依托单位:
氧化铪基铁电薄膜负电容效应的第一性原理计算
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批准号:2026JJ50500
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:肖永光
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依托单位:
基于光交联的高稳定性图案化电致变色薄膜及其多色显示器件
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批准号:ZCLMS26E0302
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:李锦
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依托单位:
用于粉体农药包装PVA薄膜的研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:丁长明
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依托单位: