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Enhancement of piezoelectric properties by introducing heterogeneous structure

Enhancement of piezoelectric properties by introducing heterogeneous structure
通过引入异质结构增强压电性能
批准号:
23560804
负责人:
OKAMURA Soichiro
金额:
$3.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2013

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Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films with some amounts of pores or Pt nanoparticles were prepared by chemical solution deposition and their piezoelectric properties were evaluated by atomic force microscopy (AFM). Film thickness was approximately 300 nm. Their microstructures were also investigated by scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). The amount of pores was adjusted by changing the speed of spin-coating. Finally, the densities of the PZT films were estimated to be 0.92-0.98. On the other hand, the amount of Pt nanoparticles was adjusted by changing the mixing ratios of precursor solutions to 0-9%. As a result, an effective piezoelectric constant d33,AFM estimated by the AFM was enhanced with increasing the amounts of pores or Pt nanoparticles. These results suggest that unstable lattices which were easily distorted with applying an electric field increased by introducing the heterogeneous structures.
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図8白金ナノ粒子の配合率2%のPZT薄膜相蘇亨、舟窪浩、岡村総一郎、山本孝、のヒステリシス特性および圧電特性飯島高志「Pb(Zr,Ti)O_3膜における圧電定数d_<31>, d_<33>の同時測定」
图8 铂纳米粒子掺混率为2%的PZT薄膜的磁滞特性和压电特性Toru Aiso, Hiroshi Funakubo, Soichiro Okamura, Takashi Yamamoto, Takashi Iijima“Pb(Zr,Ti)O_3薄膜中的压电常数d_<31>,同步d_<33> 的测量”
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者: [松岡将史, 西出正道, 島宏美, 西田謙]
通讯作者: 西田謙
Pb(Zr,Ti)O3膜における圧電定数d31, d33の同時測定
同时测量 Pb(Zr,Ti)O3 薄膜中的压电常数 d31 和 d33
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [古館, 上川, 小島, 掛川, K.Kakegawa, 松岡将史,西出正道,島宏美,西田謙,相蘇亨,舟窪浩,岡村総一郎,山本孝,飯島高志]
通讯作者: 松岡将史,西出正道,島宏美,西田謙,相蘇亨,舟窪浩,岡村総一郎,山本孝,飯島高志
DOI: --
发表时间: 2012
期刊:
影响因子: --
作者: [S. Okamura, R. Yanase, Y. Fujiuchi, T. Nakajima and T. Iijima]
通讯作者: T. Nakajima and T. Iijima
「不均一構造導入による圧電体膜の特性改善」
“通过引入非均匀结构改善压电薄膜的性能”
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [柳瀬亮, 中嶋宇史, 飯島高志, 岡村総一郎]
通讯作者: 岡村総一郎
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    Study on the Change in the Switching Properties of Ferroelectrics Thin Films with the Passage of Time
    • 批准号:
      18560024
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.28万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      OKAMURA Soichiro
    • 依托单位:
    Fabrication of Ferroelectric Nanocapacitors by Electron-beam Projection Patterning
    • 批准号:
      15560277
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.37万
    • 财政年份:
      2003
    • 负责人:
      OKAMURA Soichiro
    • 依托单位:
    A Study of the Electron-beam-induced Micropatterning Process for Composite Oxides
    • 批准号:
      10650348
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.92万
    • 财政年份:
      1998
    • 负责人:
      OKAMURA Soichiro
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
    • 批准号:
      2026JJ50456
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      谭彦妮
    • 依托单位:
    高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      王晓丽
    • 依托单位:
    汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      林改
    • 依托单位:
    基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
    • 批准号:
      JCZRMS202600414
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
    • 依托单位: