Exploration of hydride conductor

氢化物导体的探索

• 批准号: 23655191
• 负责人: KANNO Ryoji
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23655191/
• 关键词: 結晶; 多結品材料; イオン交換体; 伝導体; ヒドリドイオン; 固体電解質; ヒドリドイオン導電体; ヒドリドイオン伝導体; イオン導電体; エネルギーデバイス; 無機固体化学

In this project, we successfully synthesized transition-metal-free novel oxyhydridesthat has the ordered hydride ions in the K2NiF4-type structure. The oxyhydridesexhibited the hydride ion conductivity over 1500C, and conductivity value increasewith the introducing vacancies and interstitial hydride ions, Furthermore, theestablishment of synthesis method for the controlling hydride contents andarrangement in the lattice by the cation-substitution showed a guideline for thedevelopment of new materials based on oxyhydrides.

在这个项目中，我们成功合成了无氧化的新型氧氢化物，在K2NIF4型结构中具有有序的氢化物离子。含氧羟基hobihibhib hib氢化离子电导率在1500C上超过1500C，并增加了引入空位和间质氢化离子，此外，通过阳离子润滑剂在晶格中控制氢化物中的氢化物含量的合成方法，该方法由阳离子固定材料的指南介绍了新材料的指南，这些指南涉及新材料的指南。

项目成果

K_2NiF_4型ヒドリド含有酸化物の高圧合成とイオン導電物性

K_2NiF_4型含氢化物氧化物的高压合成及其离子导电性能

• 发表时间: 2013
• 作者: 松岡慎治;小林玄器;平山雅章;菅野了次
• 通讯作者: 菅野了次

ヒドリド含有酸化物を基軸とした新規機能性材料の開発

基于含氢化物氧化物的新型功能材料的开发

• 发表时间: 2013
• 作者: 坂田 佳史;小柴康子,三崎雅裕,石田謙司,上田裕清;小林玄器
• 通讯作者: 小林玄器

K2NiF4型ヒドリド含有酸化物の高圧合成とイオン導電物性

K2NiF4型含氢化物氧化物的高压合成及其离子导电性能

• 发表时间: 2013
• 作者: 松岡慎治;小林玄器;平山雅章;菅野了次
• 通讯作者: 菅野了次