Study for Intermediate States of Spin Flip in Spintronics Devices and its Applications
Study for Intermediate States of Spin Flip in Spintronics Devices and its Applications
自旋电子器件中自旋翻转中间态的研究及其应用
批准号：
23656006
负责人：
ENDOH Tetsuo
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
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英文摘要
Intermediate states of spin flip in the spintronics devices are observed by using the ultrafast electric measurement technique. As a result, a multiple intermediate states in spin flip process are indicated in the spintronics devices. This result leads the new control technique of spin flip, such as a multi valued operation.
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A Flexible Adaptive Matching Cell Circuit with Bell-Shaped Similarity Evaluation Function for High-Speed Low-Power Nonlinear Pattern Recognition Systems
用于高速低功耗非线性模式识别系统的具有钟形相似性评估功能的灵活自适应匹配单元电路
用于高速低功耗非线性模式识别系统的具有钟形相似性评估功能的灵活自适应匹配单元电路
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yijie, Xiong]
通讯作者：
Xiong
A Flexible Adaptive Matching Cell Circuit with Bell-Shaped Similarity Evaluation Function for High-Speed LowPower Nonlinear Pattern Recognition Systems
用于高速低功耗非线性模式识别系统的具有钟形相似性评估功能的灵活自适应匹配单元电路
用于高速低功耗非线性模式识别系统的具有钟形相似性评估功能的灵活自适应匹配单元电路
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yijie Xiong, Yitao Ma, and Tetsuo Endoh]
通讯作者：
and Tetsuo Endoh
Research on nano-scale semiconductor devices based on the electronic properties of atomic-scale silicon crystals
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批准号：19206037
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$31.2万
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财政年份：2007
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负责人：ENDOH Tetsuo
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依托单位：
Investigation of high performance three-dimensional integrated circuits using three dimensional MOS devices
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批准号：10555112
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.13万
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财政年份：1998
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负责人：ENDOH Tetsuo
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依托单位：
Research of 3 Dimensional (3D) MOSFET's operation mechanism for future LSI
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批准号：08455158
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$4.99万
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财政年份：1996
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负责人：ENDOH Tetsuo
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依托单位：