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Research on nano-scale semiconductor devices based on the electronic properties of atomic-scale silicon crystals
基于原子级硅晶体电子特性的纳米级半导体器件研究
基本信息
- 批准号：19206037
- 负责人：
- 金额：$ 31.2万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The influences of the interface roughness, the dopant distribution fluctuation and the surface potential variability on the device performance of nano-scale Si-based semiconductor devices were investigated. As a result, a deep understanding of suppressing the statistical variability was obtained in both material and device levels. These results indicate the guideline for developing the future nano-scale semiconductor devices based on the electronic properties of atomic-scale silicon crystals.
研究了界面粗糙度，掺杂分布波动和表面电位变化对基于纳米级SI的半导体设备设备性能的影响。结果，对抑制统计变异性的深刻理解是在材料和设备水平上获得的。这些结果表明，基于原子级硅晶体的电子特性开发未来纳米级半导体设备的指南。
项目成果
期刊论文数量（95）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell
电荷陷阱型NVM单元中的集体隧道模型
- DOI：10.1143/jjap.50.04dd04
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Muraguchi;Y. Sakurai;Y. Takada;Y. Shigeta;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki;S. Nomura;K. Shiraishi;and T. Endoh
- 通讯作者：and T. Endoh
Effects of Al doping and annealing on chemical states and band diagram of Y_2_O3/Si gate stacks studied by photoemission and x-ray absorption spectroscopy
光电发射和X射线吸收光谱研究Al掺杂和退火对Y_2_O3/Si栅叠层化学态和能带图的影响
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Toyoda;J.Okabayashi;M.Komatsu;M.Oshima;D.-I.Lee;S.Sun;Y.Sun;P.Pianetta;D.Kukurznyak;T.Chikyow
- 通讯作者：T.Chikyow
Performance evaluation of transistors with discrete dopants by single-ion doping method (Invited)
单离子掺杂法评估离散掺杂晶体管的性能（特邀）
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Shinada;T.Endoh;et al.
- 通讯作者：et al.
Doping properties of metal silicides : first-principles study on solubility and Schottky barrier
金属硅化物的掺杂特性：溶解度和肖特基势垒的第一性原理研究
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木優輔;西村匡史;弓山英朗;笹田一郎;林則行;J. Ohta;T.Nakayama
- 通讯作者：T.Nakayama
Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor
硅纳米点浮栅MOS电容器电子集体运动研究
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Sangyeop Lee;Hiroyuki Ito;Shuhei Amakawa;Noboru Ishihara;and Kazuya Masu;M.Muraguchi
- 通讯作者：M.Muraguchi
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- 批准号：
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$ 31.2万 - 项目类别：
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