Research on nano-scale semiconductor devices based on the electronic properties of atomic-scale silicon crystals

基于原子级硅晶体电子特性的纳米级半导体器件研究

• 批准号: 19206037
• 负责人: ENDOH Tetsuo
• 金额: $ 31.2万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206037/
• 关键词: 半導体デバイス; 集積回路; ナノデバイス; シリコン結晶シリコンデバイス; 不純物ドープ; 表面科学; 電子物性; 電子デバイス; 電子輸送; シリコン; ひずみ; 移動度; ナノ電子物性科学; 半導体; シリコン結晶; シリコンデバイス

The influences of the interface roughness, the dopant distribution fluctuation and the surface potential variability on the device performance of nano-scale Si-based semiconductor devices were investigated. As a result, a deep understanding of suppressing the statistical variability was obtained in both material and device levels. These results indicate the guideline for developing the future nano-scale semiconductor devices based on the electronic properties of atomic-scale silicon crystals.

研究了界面粗糙度、掺杂剂分布波动和表面电位变化对纳米硅基半导体器件性能的影响。因此，在材料和设备层面上都获得了对抑制统计变异性的深刻理解。这些结果为开发基于原子级硅晶体的电子特性的未来纳米级半导体器件提供了指导。

项目成果

Effects of Threshold Voltage Fluctuations on Stability of MOS Current Mode Logic Inverter Circuit

阈值电压波动对MOS电流型逻辑逆变电路稳定性的影响

• 发表时间: 2007
• 作者: K. Suzuki;H. Na;Y. Narita;H. Nakazawa;T. Itoh;K. Yasui;M. Suemitsu and T. Endoh
• 通讯作者: M. Suemitsu and T. Endoh

Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces, in "Comprehensive Semiconductor Science and Technology"

半导体界面的原子结构与电子性质，载于《半导体综合科学与技术》

• 发表时间: 2011
• 作者: D.Taguchi;S.Inoue;L.Zhang;J.Li;M.Weis;T.Manaka;M.Iwamoto;T.Nakayama
• 通讯作者: T.Nakayama

Enhancing Single-ion Detection Efficiency by Applying a Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-ion Doping

通过施加衬底偏置电压进行确定性单离子掺杂来提高单离子检测效率

• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics Express Vol.4
• 作者: M.Hori;T.Shinada;K.Taira;A.Komatsubara;T.Tanii;T.Endoh;I.Ohdomari
• 通讯作者: I.Ohdomari

Stability, Doping, and Schottky Barrier of Polymorphic Silicides: First-principles Study

多晶型硅化物的稳定性、掺杂和肖特基势垒：第一原理研究

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Ishikawa;T.Nakayama;中山隆史
• 通讯作者: 中山隆史

Doping properties of metal silicides : first-principles study on solubility and Schottky barrier

金属硅化物的掺杂特性：溶解度和肖特基势垒的第一性原理研究

• 发表时间: 2010
• 作者: 鈴木優輔;西村匡史;弓山英朗;笹田一郎;林則行;J. Ohta;T.Nakayama
• 通讯作者: T.Nakayama