Nonvolatile optical memory with spin vertical-cavity surface emittinglasers

具有自旋垂直腔表面发射激光器的非易失性光学存储器

• 批准号: 23656051
• 负责人: IKEDA Kazuhiro
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656051/
• 关键词: 光情報処理; 光エレクトロニクス; 光制御; スピンVCSEL; スピンフォトニクス; 半導体光デバイス

Our nonvolatile optical memory utilizes a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) grown on GaAs(110) substrate which has a long electron spin relaxation time. The readout is done by circularly polarized lasing with electrical spin injection. As the first step, we tried to demonstrate lasing under spin unpolarized current injection using a paramagnetic contact. However, it was found that the improvement of the VCSEL structure is necessary. An oxidized current confinement structure for reduction of threshold current, and a structure for current injection at a layer under the upper DBR with a lower crystal quality were investigated, and their fabrication processes have been established.

我们的非易失性光存储器采用了一种生长在GaAs（110）衬底上的垂直腔面发射激光器（VCSEL），它具有很长的电子自旋弛豫时间。读出是通过电自旋注入的圆偏振激光来完成的。作为第一步，我们试图证明激光自旋非极化电流注入下使用顺磁接触。然而，发现VCSEL结构的改进是必要的。研究了用于降低阈值电流的氧化电流限制结构和用于在具有较低晶体质量的上DBR下的层处进行电流注入的结构，并且已经建立了它们的制造工艺。

项目成果

(110)スピン面発光半導体レーザの広帯域円偏光発振

(110)自旋面发射半导体激光器宽带圆偏振振荡

• 发表时间: 2011
• 作者: 揖場 聡;黄 晋二;池田 和浩;河口 仁司
• 通讯作者: 河口 仁司

GaAs/AlGaAs MQW の電子スピン緩和時間測定法に関する検討

GaAs/AlGaAs MQW电子自旋弛豫时间测量方法研究

• 发表时间: 2011
• 作者: 横田信英;池田和浩;片山健夫;黄晋二;河口仁司
• 通讯作者: 河口仁司