Spin-dependent Spectroscopy of Electronic States in Individual and Coupled Quantum Dots (B 01)

这是一种非常有效的电子技术操作方法，适用于电子设备的加工和自转。这里的komman hochentwickel-te合成这些方法zur tom präzisen kontrolle von quantpenkt-Strukturen zum einatz MIT denen hervragende lokale platzierungs-Schema and Damit neuartige Spin-ABHängie Spektro-skopische Untersuhugen ermöglicht Well.(I)Lokal genau Definiertes Wachstum von In(Ga)as Quanpenkten auf Nano Strucucturiten Planaren Substrten and(Ii)Points-kontrolliertes Wachstum von freistehenden(In)GaAs Nanodrähten MIT Vertikal Into(Ga)as Quanpenkten.这是一种全新的材料--Wisenschaftliche Charakterisierung和Photollighteszenz-Spektroskopie Untersusuhungen duchgefüHRT。

Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung des Wachstums und der Nanofabrikation von einzelnen und gekoppelten halbleitenden Quantenpunkten zur effektiven elektrischen Manipulation der Ladungs-träger- und Spin-Lebenszeit Charakteristik von Elektronen und Löchern. Hier kommen hochentwickel-te Synthese Methoden zur atomar präzisen Kontrolle von Quantenpunkt-Strukturen zum Einsatz mit denen hervorragende lokale Platzierungs-Schema und damit neuartige spin-abhängige spektro-skopische Untersuchungen ermöglicht werden. Diese beinhalten (i) lokal genau definiertes Wachstum von In(Ga)As Quantenpunkten auf nanostrukturierten planaren Substraten und (ii) positions-kontrolliertes Wachstum von freistehenden (In)GaAs Nanodrähten mit vertikal integrierten In(Ga)As Quantenpunkten. An diesen Quantenpunkt-Strukturen werden sowohl gezielte material-wissenschaftliche Charakterisierung als auch Photolumineszenz-Spektroskopie Untersuchungen durchgeführt.